电可改写非挥发存储器

定　价：¥19.00

作　者：	于宗光，郝跃著
出版社：	国防工业出版社
丛编项：
标　签：	半导体存储器

ISBN：	9787118027679	出版时间：	2002-01-01	包装：	精装
开本：	20cm	页数：	227页	字数：

内容简介

　　本书介绍了EEPROM单元结构的变革及发展方向，EEPROM的电路设计技术，EEPROM中隧道氧化层的可靠性研究，电可改写集成电路的应用等12章内容。

作者简介

暂缺《电可改写非挥发存储器》作者简介

图书目录

第一章电可改写集成电路简介
第二章 EEPROM单元结构的变革及发展方向
第三章 FLOTOX EEPROM单元设计技术
第四章 EEPROM的电路设计技术
第五章 EEPROM中隧道氧化层的可靠性研究
第六章 FLOTOX EEPROM MOS管的可靠性研究
第七章 EEPROM单元的耐久性研究
第八章 EEPROM单元的保持特性研究
第九章 EEPROM的失效机理与考核
第十章 EEPROM的误差校正技术及成品率
第十一章 flash memory技术
第十二章电可改写集成电路的应用
参考文献