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半导体器件物理基础(曾树荣)

半导体器件物理基础(曾树荣)

定 价:¥36.00

作 者: 曾树荣编著
出版社: 北京大学出版社
丛编项:
标 签: 半导体器件

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ISBN: 9787301054567 出版时间: 2002-02-01 包装: 胶版纸
开本: 26cm 页数: 241 字数:  

内容简介

  本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分,介绍学习半导体器件必须的知识,包括半导体基本知识和pn结理论;其余各章为第二部分,阐述主要半导体器件的基本原理和特性,这些器件包括:双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件、微波二极管、量子效应器件和光器件。每章末均有习题,书后附有习题参考解答。本书简明扼要,讨论深入,内容丰富,可作为大学有关专业半导体物理与器件方面课程的教材或参考书,分章节供本科生和研究生使用;也可供有关研究人员参考。

作者简介

暂缺《半导体器件物理基础(曾树荣)》作者简介

图书目录

主要符号表
第一章 半导体基本知识
  半导体中的载流子
  晶格振动
  载流子输运现象
  半导体的光学性质
第二章  p-n结
  热平衡状态
  耗尽区和耗尽层电容
  直流特性
  交流小信号特性;扩散电容
  电荷存储和反向恢复时间
  结的击穿
第三章 双极型晶体管
  基本原理
  双极型晶体管的直流特性
  双极型晶体管模型
  双极型晶体管的频率特性
  双极型晶体管的开关特性
  异质结双极晶体管
  多晶硅发射极晶体管
  p-n-p-n结构
第四章 化合物半导体场效应晶体管
  肖特基势垒和欧姆接触
  GaAs MESFET
  高电子迁移率晶体管
第五章 MOS器件
  MOS结构的基本性质
  MOS场效应晶体管的基本理论
  短沟道MOSFET
  SOI MOSFET
  埋沟MOSFET
  电荷耦合器件
第六章 有源微波二极管
  隧道二极管
  共振隧穿二极管
  IMPATT二极管
  转移电子器件
第七章 半导体激光器和光电二极管
  半导体激光器的基本结构和工作原理
  半导体激光器的工作特性
  双异质结激光器
  量子阱激光器
  光电二极管
主要参考文献

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