1 双极晶体管
1. 1 引言
1. 2 双极晶体管的工作原理
1. 3 硅双极晶体管
1. 4 异质结双极晶体管
1. 5 双极晶体管模型
1. 6 总结与展望
习题
参考文献
2 化合物半导体场效应晶体管
2. 1 引言
2. 2 肖特基势垒和欧姆接触
2. 3 GaAs MKSFET
2. 4 异质结场效应晶体管(HFET)
2. 5 栅极漏电流
2. 6 新型化合物半导体FET
2. 7 总结与展望
习题
参考文献
3 MOSFET及其相关器件
3. 1 引言
3. 2 MOSFET的按比例缩小
3. 3 CMOS/BiCMOS
3. 4 可靠性
3. 5 SOI和三维结构
3, 6 存储结构
3. 7 低压／低功耗器件
3. 8 总结与展望
习题
参考文献
4 功率器件
4. 1 引言
4. 2 功率整流管
4. 3 功率MOSFET
4. 4 绝缘栅双极晶体管
4. 5 MOS栅控晶闸管
4. 6 碳化硅功率器件
4. 7 总结与展望
习题
参考文献
5 量子效应和热电子器件
5. 1 引言
5. 2 共振隧穿(RT)结构
5. 3 热电子结构
5. 4 器件应用
5. 5 总结与展望
附录5. A 态密度和费米积分
附录5. B 在具有散射的超晶格中的漂移速度
附录5. C 接触和超品格
附录5. D 相干晶体管基区输运
习题
参考文献
6 有源微波二极管
6. 1 引言
6. 2 渡越时间二极管
6. 3 共振隧穿二极管
6. 4 转移电子器件
6. 5 总结与展望
习题
参考文献
7 高速光子器件
7. 1 引言
7. 2 激光器的设计及其基本工作原理
7. 3 量子吩和应变层量子阱激光器
7. 4 高级激光器结构和光子集成电路(PIC)
7. 5 光接收器和光电集成电路
7. 6 总结与展望
附录7. A 线宽公式的推导
附录7. B 应变层单量子阱激光器的透光载流子面密度和微分增益的
近似表达式
习题
参考文献
8 太阳电池
8. 1 引言
8. 2 太阳光辐射和理想的能量转换效率
8. 3 硅太阳电池：单晶. 多品和非晶
8. 4 化合物半导体电池
8. 5 组件
8. 6 总结与展望
习题
参考文献
附录A 符号表
附录B 国际单位制(SI单位)
附录C 单位词头
附录D 希腊字母
附录E 物理常数
附录F 300K的晶格常数
附录G 重要的元素和二元半导体性质
附录H Si和GaAs在300K的性质
附录I III-V族三元化合物半导体的性质
附录J SiO2和Si3N4在300K的性质
索引
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