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半导体的电子结构与性能(第4卷)

半导体的电子结构与性能(第4卷)

定 价:¥73.00

作 者: (英)W.施罗特尔(Wolfgang Schroter)主编;甘骏人,夏冠群等译;甘骏人译
出版社: 科学出版社
丛编项: 材料科学与技术丛书
标 签: 超导电性

ISBN: 9787030075253 出版时间: 2001-02-01 包装: 精装
开本: 27cm 页数: 530 字数:  

内容简介

  本卷主要介绍半导体的电子结构与性能。本卷共11章。第1章至第4章主要阐述半导体中的能带理论、光学性质和电荷输送,本征点缺陷及深中心;第5章至第8章叙述平衡、非平衡,扩散"和淀积,位错,半导体中的晶界及界面;第9章至第11章介绍量子线中的霍尔效应,氢化无定形硅的材料特性,硅中3d过渡元素的高温特性。本卷可供材料科学、物理、金属学、电子、机械、航空、航天等研究、教学及生产的科学技术工作者阅读、参考。

作者简介

暂缺《半导体的电子结构与性能(第4卷)》作者简介

图书目录

1半导体中的能带理论
2光学性质和电输运
3半导体中的本征点缺陷
4半导体中的深中心
5平衡.非平衡.扩散和沉淀
6位错
7半导体中的晶界
8界面
9量子线中的霍尔效应
10氢化无定形硅的材料特性
11硅中3d过渡元素的高温特性
索引

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