CMOS集成电路原理与设计

    目 录
   第一章 绪 论
    1－1 微电子技术的发展概况
    1－2IC的工艺技术及IC的分类
    本章小结
   第二章 MOS FET的特性及其模型
    2－1MOSFET的VT
    2－2MOS FET的I－V特性
    2－3P沟MOS FET
    2－4MOSFET中的寄生电容
    2－5MOS FET中的寄生电阻
    2－6小尺寸MOS FET中出现的问题
    2－7SPICE模拟程序中的MOSFET模型
    本章小结
    附录：2μmN阱CMOS 工艺参数
   第三章 CMOS 反相器
    3－1CMOS 反相器及其电压传输特性
    3－2CMOS 反相器的开关特性
    3－3CMOS 反相器中的泄漏电流和功率－延迟乘积
    3－4CMOS 反相器的设计考虑
    本章小结
   第四章 CMOS 静态逻辑电路
    4－1CMOS 静态逻辑电路的一般结构
    4－2CMOS与非门
    4－3CMOS 或非门
    4－4或门和与门
    4－5组合逻辑
    4－6异或门和同或门
    4－7静态CMOS逻辑结构的变种形式
    4－8三态输出电路
    4－9准（伪）NMOS/PMOS 逻辑
    4－10 静态CMOS触发电路
    4－11施密特触发器
    本章小结
   第五章 CMOS开关逻辑电路
    5－1CMOS传输门
    5－2开关逻辑门
    5－3锁存电路和触发电路
    5－4阵列逻辑
    5－5差动级联电压开关逻辑
    5－6互补开关晶体管逻辑
    5－7差动错层逻辑
    5－8三态缓冲电路
    本章小结
   第六章 CMOS动态逻辑电路
    6－1基本动态CMOS 门电路
    6－2多米诺CMOS动态逻辑
    6－3多输出多米诺逻辑
    6－4锁存多米诺逻辑
    6－5NORA逻辑
    本章小结
   第七章 基本功能电路
    71移位寄存器
    7－2加法器
    7－3乘法器
    本章小结
   第八章 存储器
    8－1存储器的组成
    8－2只读存储器
    8－3静态RAM
    8－4动态RAM
    8－5灵敏放大器
    本章小结
   第九章 可编程逻辑器件
    9－1概述
    9－2可编程逻辑阵列
    9－3EPLD
    9－4高密度的PLD结构
    本章小结
   第十章 微处理器
    10－1概述
    10－2数据通道及系统结构
    10－3微码控制器
    10－4精简指令技术
    本章小结
   第十一章 自动化设计与验证
    11－1 概述
    11－2集成电路版图
    11－3设计规则检查
    11－4电路提取
    11－5数字电路仿真
    11－6时序分析
    11－7RTL仿真
    本章小结
   附录：典型P阱CMOS的工艺特征及设计规则