光电成像原理

第一章绪论
§1.1光电成像原理的产生及发展
§1.2光电成像对视见光谱域的延伸
§1.3光电成像对视见灵敏阈的扩展
§1.4光电成像器件的类型
§1.5光电成像的特性
习题
参考文献
第二章半导体物理基础
§2.1半导体的能带理论
§2.2半导体中载流子浓度的分布理论
§2.3载流子浓度与费米能级
§2.4载流子在半导体中的输运现象
§2.5非平衡载流子的复合理论
§2.6半导体中非平衡载流子的运动规律
§2.7P-N结
§2.8半导体的表面
习题
参考文献
第三章直视型电真空成像原理
§3.1像管成像的物理过程
§3.2像管的类型与结构
§3.3像管的主要特性与参数
习题
参考文献
第四章辐射图像的光电转换
§4.1光电发射的物理模型
§4.2电子受激跃迁的半经典分析
§4.3受激电子向表面迁移过程的分析
§4.4电子逸出表面过程的分析
§4.5典型实用光阴极
§4.6光电发射的极限电流密度
§4.7光阴极面发射电子过渡过程的分析
习题
参考文献
第五章电子图像的成像理论
§5.1电子光学的基本方程
§5.2旋转对称场中的场方程
§5.3静电磁场中带电粒子的运动
§5.4电子透镜
§5.5典型电子光学系统的分析
§5.6电子枪简介
习题
参考文献
第六章电子图像的发光显示
§6.1荧光屏的构成
§6.2荧光层的发光理论
§6.3荧光屏的发光动力学
§6.4典型荧光屏的发光机理
习题
参考文献
第七章光学图像的传像与电子图像的倍增
§7.1光学纤维面板
§7.2微通道板
习题
参考文献
第八章电视型电真空成像原理
§8.1电视摄像的基本原理
§8.2摄像管的基本原理和分类
§8.3摄像管的主要特性参数
习题
参考文献
第九章光电导摄像原理
§9.1注入型光电导靶
§9.2氧化铅光电导靶
§9.3硅二极管列阵光电导靶
§9.4异质结光电导靶
§9.5光电导视像管参数的比较
习题
参考文献
第十章光电发射型的摄像原理
§10.1超正析摄像管
§10.2二次电子导电摄像管
§10.3电子轰击型硅靶摄像管
习题
参考文献
第十一章热释电摄像管
§11.1热释电摄像管的构成与特点
§11.2热释电摄像管的工作原理
§11.3热释电摄像管的特性
习题
参考文献
第十二章红外探测器
§12.1红外探测器的分类
§12.2红外探测器的工作条件和性能参数
§12.3光电导探测器
§12.4SPRITE探测器
§12.5光伏探测器
§12.6热释电探测器
§12.7肖特基势垒光电探测器
习题
参考文献
第十三章电荷耦合器件
§13.1CCD的物理基础
§13.2CCD的工作原理和结构
§13.3CCD的物理性能
§13.4电荷耦合摄像器件(CCID)
§13.5CCID的特性参数与分析
§13.6微光电荷耦合成像器件
§13.7红外电荷耦合器件(IR-CCD)
§13.8CCD的现状与其他固态摄像器件
习题