目录
第一篇 绪论
第一章 辐射源
1.1单位和定义
1.2快电子源
1.3重带电粒子源
1.4电磁辐射源
1.5中子源
第二章 辐射与物质的相互作用
2.1重带电粒子与物质的相互作用
2.2快电子与物质的相互作用
2.3γ射线与物质的相互作用
2.4中子与物质的相互作用
2.5辐射照射量和剂量
第三章 辐射探测器的一般特性
3.1探测器的简化模型
3.2电流工作方式与脉冲工作方式
3.3脉冲幅度谱
3.4计数曲线和坪
3.5能量分辨率
3.6探测效率
3.7死时间
第四章 计数统计学和误差预测
4.1数据的特征
4.2统计模型
4.3统计模型的应用
4.4误差传递
4.5计数实验条件的优选
4.6时间间隔分布
第二篇 气体探测器
第五章 电离室
5.1气体中的电离过程
5.2电荷的迁移与收集
5.3电流电离室的设计和运用
5.4用电离室测量辐射剂量
5.5直流电离室的应用
5.6脉冲工作方式
第六章 正比计数管
6.1气体倍增
6.2正比计数管的设计特征
6.3正比计数管的性能
6.4探测效率和计数曲线
6.5正比计数管的几种变体设计
第七章 盖革－弥勒计数管
7.1盖革放电
7.2填充气体
7.3猝灭
7.4时间特性
7.5盖革计数坪
7.6设计特征
7.7计数效率
7.8G－M监测仪
第三篇 闪烁计数器
第八章 闪烁探测器的原理
8.1有机闪烁体
8.2无机闪烁体
8.3光的收集和闪烁体的安装
第九章 光电倍增管
9.1引言
9.2光阴极
9.3电子倍增
9.4光电倍增管的特性
9.5光电倍增管所要求的辅助设备
9.6闪烁脉冲形状分析
第十章 用闪烁体的辐射能谱学
10.1γ射线能谱学的一般原理
10.2γ射线相互作用
10.3预计的响应函数
10.4NaI（T1）闪烁谱仪的特性
10.5用闪烁体的电子谱仪
10.6以闪烁现象为基础的特殊探测器结构
第四篇 半导体探测器
第十一章 半导体二极管探测器
11.1半导体的性质
11.2电离辐射在半导体中的作用
11.3作为辐射探测器的半导体
11.4半导体探测器的各种结构
11.5工作特性
11.6面垒探测器与扩散结探测器的应用
第十二章 锂漂移锗探测器
12.1离子漂移探测器的制造
12.2漂移探测器的基本性质
12.3Ge（Li）探测器的工作特性
12.4用Ge（Li）探测器的γ射线谱学
第十三章 其它固体探测器
13.1锂漂移硅探测器
13.2高纯锗探测器
13.3硅、锗以外的其它半导体材料
13.4雪崩探测器
13.5位置灵敏半导体探测器
第五篇 中子探测器和能谱学
第十四章 慢中子探测方法
14.1与中子探测有关的核反应
14.2以硼反应为基础的探测器
14.3根据其它转换反应制成的探测器
14.4反应堆仪表
第十五章 快中子探测和快中子谱学
15.1以中子慢化为基础的计数器
15.2以快中子诱发反应为基础的探测器
15.3利用快中子散射的探测器
第六篇 探测器电子学和脉冲处理
第十六章 脉冲的处理与成形
16.1器件阻抗
16.2同轴电缆
16.3脉冲成形
第十七章 线性脉冲和逻辑脉冲功能
17.1线性脉冲和逻辑脉冲
17.2仪器标准
17.3脉冲处理单元一览
17.4通用部件
17.5脉冲计数系统
17.6脉冲幅度分析系统
17.7脉冲定时系统
17.8脉冲波形甄别
第十八章 多道脉冲分析器
18.1单道测量法
18.2多道分析器的一般特性
18.3多道分析器
18.4能谱的稳定
18.5用计算机作能谱分析
第七篇 其它辐射探测器及应用
第十九章 其它类型的探测器
19.1切伦科夫探测器
19.2液体电离室和正比数管
19.3照相乳胶
19.4热释光剂量计
19.5径迹蚀刻探测器
19.6活化箔探测中子
第二十章 本底和探测器屏蔽
20.1本底来源
20.2γ射线谱中的本底
20.3其它探测器的本底
20.4屏蔽材料
20.5降低本底的现行方法
附录 辐射效应和照射极限
1.辐射效应
2。剂量的定量化
3。照射类型
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