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半导体物理学

半导体物理学

定 价:¥28.00

作 者: 刘恩科等编
出版社: 国防工业出版社
丛编项: 高等学校工科电子类规划教材
标 签: 物理实验

ISBN: 9787118011951 出版时间: 2000-01-01 包装: 平装
开本: 26cm 页数: 372 字数:  

内容简介

  本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章,主要内容为:半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。.本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材,也可供从事相关专业的科技人员参考。...

作者简介

暂缺《半导体物理学》作者简介

图书目录

主要参数符号表
第一章半导体中的电子状态
§1.1半导体的晶格结构和结合性质
§1.2半导体中的电子状态和能带
§1.3半导体中电子的运动有效质量
§1.4本征半导体韵导电机构空穴
§1.3回旋共振
§1.6硅和锗的能带结构
§1.7III—V族化合物半导体的能带结构
§1.8II—VI族化合物半导体的能带结构
习题
参考资料
第二章半导体中杂质和缺陷能级
§2.1硅.锗晶体中的杂质能级
§2.21—V族化合物中的杂质能级
§2.3缺陷.位错能级
思考题及习题
参考资料
第三章半导体中载流子的统计分布
§3.1状态密度
§3.2费米能级和载流子的统计分布
§3.3本征半导体的载流子浓度
§3.4杂质半导体的载流子浓度
§3.5一般情况下的载流子统计分布
§3.6简并半导体
补充材料:电子占据杂质能级的几率
习题
参考资料
第四章半导体的导电性
§4.1载流子的漂移运动迁移率
§4.2载流子的散射
§4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系
§4.4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
§4.5玻耳兹曼方程电导率的统计理论
§4.6强电场下的效应热载流子
§4.7多能谷散射耿氏效应
习题
参考资料
第五章非平衡载流子
§5.1非平衡载流子的注入与复合
§5.2非平衡载流子的寿命
§5.3准费米能级
§5.4复合理论
§5.5陷阱效应
§5.6载流子的扩散运动
§5.7载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式
§5.8连续性方程式
习题
参考资料
第六章p-n结
§6.1p-n结及其能带图
§6.2p-n结电流电压特性
§6.3p-n结电容
§6.4p-n结击穿
§6.5p-n结隧道效应
习题
参考资料
第七章金属和半导体的接触
§7.1金属半导体接触及其能级图
§7.2金属半导体接触整流理论
§7.3少数载流子的注入和欧姆接触
习题
参考资料
第八章半导体表面与MIS结构
§8.1表面态
§8.2表面电场效应
§8.3MIS结构的电容—电压特性
§8.4硅-二氧化硅系统的性质
§8,5表面电导及迁移率
§8.6表面电场对p-n结特性的影响
习题
参考资料
第九章异质结
§9.1异质结及其能带图
§9.2异质结的电流输运机构
§9.3异质结在器件中的应用
§9.4半导体超晶格
思考题及习题
参考资料
第十章半导体的光学性质和光电与发光现象
§10.1半导体的光学常数
§10.2半导体的光吸收
§10.3半导体的光电导
§10.4半导体的光生伏特效应
§10.5半导体发光
§10.6 半导体激光
习题
参考资料
第十一章半导体的热电性质
§11.1热电效应的一般描述
§11.2半导体的温差电动势率
§11.3半导体的珀耳帖效应
§11.4半导体的汤姆孙效应
§11.5半导体的热导率
§11.6半导体热电效应的应用
习题
参考资料
第十二章半导体磁和压阻效应
§12.1霍耳效应
§12.2磁阻效应
§12.3磁光效应
§12.4量子化霍耳效应
§12.5热磁效应
§12.6光磁电效应
§12.7压阻效应
§12.8声波和载流子的相互作用
习题
参考资料
第十三章非晶态半导体
§13.1非晶态半导体的结构
§13.2非晶态半导体中的电子态
§13.3非晶态半导体中的缺陷.隙态与掺杂效应
§13.4非晶态半导体中的电学性质
§13.5非晶态半导体中的光学性质
§13.6a-Si:H的p-n结与金—半接触特性
参考资料
附录
附录1常用物理常数和能量表达变换表
附表1-1  常用物理常数表
附表1—2能量表达变换表
附录2半导体材料物理性质表
附表2—1族半导体材料的性质
附表2—21—V族半导体材料的性质
附表2—3II—VI族半导体材料的性质
附表2—4IV—VI族半导体材料的性质
附表2—5III—V族三元化合物半导体材料的性质
参考资料

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