电力电子器件原理与设计

主要符号表
第一章 电力电子器件的发展概况
1.1 双极功率晶体管
1.2 晶闸管与可关断晶闸管（GTO）
1.3 MOS控制晶闸管（MCT）
1.4 功率MOSFET
1.5 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
1.6 静电感应晶体管（SIT）与静电感应晶闸管（SITH）
1.7 功率集成电路（PIC）
参考文献
第二章 巨型晶体管（GTR）
2.1 达林顿晶体管
2.2 功率达林顿器件的版图设计方法
2.3 功率达林顿器件的给向结构与参数设计
2.4 功率达林顿晶体管的特性曲线
2.5 GTR模块及其特点
2.6 GTR的芯片设计
2.7 GTR的结构设计
2.8 GTR模块的并联作用
习题与思考题
参考文献
第三章 晶闸管与GTO
3.1 晶闸管的结构及工作原理
3.2 晶闸管的主要参数及性能
3.3 晶闸管的派生器件
3.4 GTO的结构及最新技术概况
3.5 GTO的电特性与基本工作原理
3.6 六极关断能力及再导通机理的分析
3.7 大容量GTO的设计与制造
3.8 GTO的改进
习题与思考题
第四章 MOS控制晶闸管（MCT）
4.1 MCT的结构及工作原理
4.2 MCT关断能力的分析
4.3 MCT的设计方法
4.4 MCT器件的改进与发展
习题与思考题
参考文献
第五章 功率MOSFET
5.1 功率MOSFET的种类
5.2 高压VDMOS器件的结构及工作原理
5.3 高压VDMOS器件的主要电学参数
5.4 高压VDMOS器件的设计方法
5.5 功率VDMOSFET设计考虑
习题与思考题
参考文献
第六章 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
6.1 IGBT器件的结构及工作原理
6.2 IGBT器件的特性
……
第七章 静电感应晶体管（SIT）
第八章 静电感应晶闸管（SITH）
第九章 功率集成电路（PIC）
第十章 电力电子器件的计算机模拟