纳米CMOS器件

序
前言
第一章 绪论
第二章 缩小到纳米尺寸的CMOS器件面临的挑战
2·1器件尺寸缩小对工艺技术的挑战
2·2栅氧化层减薄的限制
2·3量子效应的影响
2·4迁移率退化和速度饱和
2·5杂质随机分布的影响
2·6阈值电压减小的限制
2·7源、漏区串联电阻的影响
参考文献
第三章 纳米CMOS器件的图形制备技术
3·1光刻工艺技术的进展
3·2分辨率增强技术
3·3下一代光刻技术的研究进展
3·4一种实用的超细栅线条制备技术
3·5超细线条刻蚀技术
参考文献
第四章 纳米CMOS器件中的栅工程
4·1CMOS器件中的MIS栅结构
4·2氮氧硅栅介质
4·3高介电常数栅介质
4·4纳米CMOS技术中的新型栅电极材料
参考文献
第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术
5·1沟道工程要解决的问题
5·2纵向沟道工程
5·3纳米CMOS器件中的横向沟道工程
5·4纳米CMOS中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展
参考文献
第六章 新型纳米CMOS器件
6·1新型衬底结构器件
6·2新型栅结构器件
6·3新型沟道结构器件
6·4新型源漏结构器件
6·5新型工作机制器件
参考文献
主要符号表