1 导论1 11 基本概念1 12 发展简史2 13 半导体材料的分类3 14 半导体材料的基本性质4 141 半导体的晶体结构4 142 半导体的化学键5 143 半导体的能带6 144 半导体的电导7 145 半导体的霍尔效应7 146 半导体的光学性质9 15 半导体中的杂质和缺陷1 151 杂质1 152 缺陷1 153 半导体缺陷工程1 16 半导体材料的性能检测11 17 材料的应用发展趋势13 参考文献16 2 元素半导体材料19 21 硅19 211 Si的化学性质19 212 晶体结构和能带2 213 电学性质21 214 光学性质23 215 Si中的杂质23 216 Si中的缺陷27 217 Si的力学和热学性质28 22 锗3 221 化学性质3 222 物理性质31 23 金刚石32 24 硒和碲34 241 硒34 242 碲35 25 磷、硼和灰锡36 251 磷36 252 硼37 253 灰锡38 参考文献39 3 化合物半导体材料41 31 III-V族半导体材料41 311 概述41 312 一般性质41 313 晶体结构、化学键和极性45 314 主要的III-V族化合物半导体47 32 II-VI族化合物半导体材料65 321 概述65 322 光学性质7 323 自补偿72 324 应用概述73 33 碳化硅74 331 SiC的化学性质74 332 SiC的物理性质74 34 IV-VI族化合物半导体材料77 341 基本性质77 342 应用简介82 35 其他二元化合物半导体材料84 351 III-VI族化合物84 352 V-VI族化合物85 353 I-VII族化合物87 354 氧化物半导体87 36 三元化合物半导体材料88 参考文献93 4 固溶体半导体材料95 41 固溶体的基本性质95 42 Si1-xGex固溶体96 421 晶格常数和失配率96 422 电学性质97 423 其他性质98 43 III-V族固溶体半导体11 431 三元固溶体11 432 四元固溶体17 44 II-VI族及其他固溶体半导体113 441 HgCdTe的基本性质113 442 其他II-VI族固溶体116 443 II-VI/III-V族固溶体117 444 IV-VI族（铅盐）固溶体118 45 稀磁半导体119 451 晶格常数和带隙121 452 其他基本性质123 453 应用概述124 参考文献125 5 非晶、有机和微结构半导体材料128 51 非晶半导体材料128 511 引言128 512 基本性质129 513 应用136 514 微晶半导体138 52 有机半导体材料138 521 有机半导体材料及其基本性质138 522 应用146 53 半导体微结构（超晶格、量子结构）材料15 531 半导体超晶格15 532 量子结构材料157 533 半导体微结构材料的主要性能及应用158 54 多孔硅和纳米硅161 541 多孔硅和纳米硅的基本性质162 542 多孔硅和纳米硅的应用前景163 参考文献164 6 半导体器件基础166 61 pn结166 62 金属-半导体接触169 63 晶体三极管171 631 结型晶体管171 632 异质结双极晶体管（HBT) 171 633 场效应晶体管（FET) 172 634 MOSFET173 635 HEMT174 64 可控硅（SCR) 175 65 半导体发光与激光176 651 pn结注入式发光176 652 半导体激光器177 66 集成电路178 参考文献18 7 半导体电子材料181 71 材料的器件适性优值181 711 约翰逊优值181 712 凯斯优值182 713 巴利加优值183 714 高频器件用材料优值184 715 热性能优值185 72 硅187 721 为什么要用硅187 722 集成电路（IC）对Si材料的基本要求189 723 关于硅片大直径化192 724 硅单晶在电力电子技术中的应用192 725 多晶硅薄膜和非晶硅薄膜194 73 硅基材料195 731 SiGe/Si(固溶体)材料195 732 绝缘体上的硅（SOI）材料198 733 GaAs/Si异质外延材料21 74 化合物半导体材料22 741 GaAs22 742 InP25 743 SiC27 744 GaN28 75 金刚石21 参考文献211 8 半导体光电子材料215 81 半导体激光材料215 811 III-V族LD材料215 812 II-VI族半导体LD材料221 813 IV-VI族半导体LD材料222 814 半导体LD材料市场概况223 82 半导体显示材料224 821 LED材料224 822 半导体电致发光材料226 823 阴极射线发光材料227 83 太阳电池材料228 831 发展历程概述228 832 太阳电池材料作为清洁能源材料的重要性229 833 太阳电池材料23 834 发展趋势和展望234 84 其他半导体光电子材料235 841 电光材料235 842 光子牵引材料236 843 负电子亲和势光电阴极材料236 844 光波导材料238 85 光电集成电路材料239 参考文献239 9 半导体敏感材料242 91 力敏材料242 911 压阻效应力敏材料242 912 压电效应力敏材料244 92 光敏材料245 921 可见光波段光敏材料245 922 红外波段光敏材料246 923 短波长（紫外）光敏材料251 924 光电二极管材料252 925 光电导膜材料254 93 磁敏材料254 931 霍尔器件材料254 932 磁阻器件材料256 933 磁敏二极管和磁敏三极管材料257 94 热敏材料258 941 半导体陶瓷热敏电阻材料258 942 硅温敏电阻258 943 温敏二极管259 95 气敏材料26 951 金属氧化物半导体气敏材料26 952 MOS型气敏元件材料262 96 射线敏材料263 97 其他半导体敏感材料265 参考文献266 1 其他半导体材料268 11 半导体热电材料及其应用268 111 热电效应简述268 112 半导体热电材料269 113 关于更大优值热电材料的研究276 114 热电材料应用281 12 半导体红外光学材料及其应用281 121 基本性质282 122 重要半导体红外光材料287 123 应用概述298 13 半导体陶瓷材料及其应用3 131 PTC半导瓷材料3 132 NTC半导瓷材料32 133 临界温度热敏电阻（器）材料32 134 线性热敏半导瓷材料33 135 （电）压敏半导瓷材料33 136 晶界层电容器半导瓷材料35 参考文献35 11 半导体材料制备38 111 体单晶生长38 1111 熔体生长基本原理简述38 1112 直拉法311 1113 直拉生长技术的几项改进313 1114 悬浮区熔技术317 1115 垂直梯度凝固和垂直布里奇曼技术319 1116 水平布里奇曼技术32 1117 化合物半导体单晶熔体生长技术的比较321 1118 关于化合物半导体单晶中的位错321 1119 气相输运生长技术323 112 片状晶生长323 1121 D-Web技术324 1122 SR技术324 1123 EFG技术325 113 晶片加工325 1131 切片325 1132 倒角326 1133 磨片326 1134 腐蚀326 1135 抛光327 1136 清洗327 1137 晶片的几何参数和参考面328 114 外延生长329 1141 LPE技术33 1142 VPE技术332 1143 MBE技术338 1144 化学束外延技术342 1145 其他外延技术342 115 非晶半导体薄膜制备343 1151 制备方法概述343 1152 非晶硅薄膜制备344 参考文献347
鄂公网安备 42010302001612号 