本书全面系统地讲解了数字CMOSVLSI的基本原理及其设计。全书共分11章。前两章分析了MOS晶体管的基本原理以及器件按比例缩小的性能。第三章介绍了CMOSVLSI的制造工艺。第四至七章和第九章论述了CMOSVLSI的结构特点、工作原理及设计方法,并给出了很多电路实例。第八章介绍了VLSI存储器的新结构和新电路。最后两章介绍了90年代迅速发展的SOICMOS和BICMOS新技术。本书既强调了基本知识,又反映了CMOSVLSI的最新进展。全书条理清楚,讲解透彻,内容先进,便于自学。本书可作为微电子专业或相关专业的高年级本科生和研究生的教材,同时也是从事微电子技术研究、电路设计、生产及应用的工程技术人员的重要参考书。另外,对于其他专业想了解大规模和超大规模集成电路的工程技术人员,也是一本很有价值的参考书。