再版前言
前言
绪论
第1章 硅和锗的化学制备
1-1 硅和锗的物理化学性质
1-2 高纯硅的制备
1-3 锗的富集与提纯
第2章 区熔提纯
2-1 分凝现象与分凝系数
2-2 区熔原理
2-3 锗的区熔提纯
第3章 晶体生长
3-1 晶体生长理论基础
3-2 熔体的晶体生长
3-3 硅、锗单晶生长
第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷
4-1 硅、锗晶体中杂质的性质
4-2 硅、锗晶体的掺杂
4-3 硅、锗单晶的位错
4-4 硅单晶中的微缺陷
第5章 硅外延生长
5-1 外延生长概述
5-2 硅的气相外延生长
5-3 硅外延层电阻率的控制
5-4 硅外延层的缺陷
5-5 硅的异质外延
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性
6-2 砷化镓单晶的生长方法
6-3 砷化镓单晶中杂质的控制
6-4 砷化镓单晶的完整性
6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长
7-1 气相外延生长(VPE)
7-2 金属有机物气相外延生长(MOVPE)
7-3 液相外延生长(LPE)
7-4 分子束外延生长(MBE)
7-5 化学束外延生长(CBE)
7-6 其他外延生长技术
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体
8-1 异质结与晶格失配
8-2 GaAlAs外延生长
8-3 InGaN外延生长
8-4 InGaAsP外延生长
8-5 超晶格与量子阱
8-6 应变超晶格
8-7 能带工程
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备
9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象
9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料
9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料
第10章 氧化物半导体材料
10-1 氧化物半导体材料的制备
10-2 氧化物半导体材料的电学性质
10-3 氧化物半导体材料的应用
第11章 其他半导体材料
11-1 窄带隙半导体
11-2 黄铜矿型半导体
11-3 纳米晶材料
11-4 非晶态半导体材料
11-5 有机半导体材料
参考文献