第1章半导体物理基础
1.1半导体的形成与能带
1.2本征半导体
1.3杂质半导体
1.4半导体的导电性
1.5非平衡载流子
思考题1
习题1
第2章PN结
2.1平衡PN结能带图及空间电荷区
2.2理想PN结的伏安特性
2.3实际PN结的特性
2.4PN结的击穿
2.5PN结的电容
思考题2
习题2
第3章双极晶体管(1)
3.1双极晶体管的结构
3.2双极晶体管的放大原理
3.3双极晶体管电流增益
3.4反向直流参数及基极电阻
3.5双极晶体管直流伏安特性
思考题3
习题3
第4章双极晶体管(2)
4.1交流小信号电流增益
4.2双极晶体管频率特性参数
4.3双极晶体管的开关原理
4.4双极晶体管的开关时间
4.5双极晶体管大电流特性
4.6晶体管耗散功率及安全工作区
思考题4
习题4
第5章结型场效应晶体管
5.1JFET结构与工作原理
5.2MESFET
5.3JFET直流特性
5.4直流特性的非理想效应
5.5JFET交流小信号特性
思考题5
习题5
第6章MOSFET
6.1MOS结构及其特性
6.2MOSFET结构及工作原理
6.3MOSFET阈值电压
6.4MOSFET直流特性
6.5MOSFET小信号特性
6.6MOSFET开关特性
6.7短沟道效应及按比例缩小规则
思考题6
习题6
第7章异质结器件
7.1异质结
7.2HBT的工作原理与特性
7.3HBT的工艺.结构与设计
7.4HEMT的原理与特性
7.5HEMT的结构和设计
思考题7
习题7
第8章双极型集成电路
8.1集成电路简介
8.2双极型集成电路中的元件结构与基本制造工艺
8.3双极型数字集成电路中的门电路
8.4双极型模拟集成电路中的基本单元电路
8.5双极型集成电路的版图设计
思考题8
习题8
第9章MOS集成电路
9.1MOS集成电路简介
9.2MOS集成电路中的基本单元电路
9.3半导体集成电路设计方法和步骤
9.4MOSIC单元电路的版图设计
思考题9
习题9
参考文献
附录
鄂公网安备 42010302001612号 