COMS电路设计布局与仿真

定　价：¥79.00

作　者：	（美）贝克（Baker R.J.）等著；陈中建译
出版社：	机械工业出版社
丛编项：	电子与电气工程丛书
标　签：	集成电路

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ISBN：	9787111165040	出版时间：	2006-01-01	包装：	平装
开本：	16开	页数：	695	字数：

内容简介

　　本书借助PC版的电路设计软件LASI，全面阐述了CMOS集成电路设计的相关知识，内容覆盖集成电路设计、仿真和物理实现的全过程。书中以现代观点对大量模拟和数字电路模块、BSIM模型、数据转换器的体系结构等内容进行了深入讨论。本书可以与学术界和工业界常用的标准EDA软件（如Cadence、L-Edit、Magic、Mentor等）配套使用，可以作为集成电路设计师、版图设计师、集成电路项目管理人员以及相关专业的教授和科研工作者的高层次教科书或参考书。主要内容●锁相环和延迟锁相环、混合信号电路以及数据转换器的设计●1000多张图表、200多个实例和500多道章末习题●对模拟和数字电路设计技术的深入讨论●使用了工业界芯片加工厂提供的工艺参数和设计规则●MOSIS制造流程及其他重要专题

作者简介

　　R.JacobBaker，博伊西州立大学电子工程系教授、系主任。他讲授多门CMOS模拟和数字电路设计课程，并是该领域的国际顾问。Baker博士曾供职于E.G.G.能量测量公司、LawrenceLivermore国家实验室和MicronSemiconductor公司，有8年的业界工作经验。他把业界的经验带进了课堂，并于2000年获IEEE最佳论文奖。他的个人主页是：http：//cmosedu.com/jbaker/jbaker.htm。陈中建，北京大学微电子学系副教授，讲授低功耗CMOS集成电路设计、模拟集成电路分析与设计等课程，近几年主要从事与探测器配套的数模混合ASIC设计研究。

图书目录

译者序
前言
第一部分 CMOS基础
  第1章概述
  第2章阱
  第3章金属层
  第4章有源区层和多晶硅层
  第5章 MOSFET
  第6章 BSIM SPICE模型
  第7章 CMOS无源元件
  第8章用LasiCkt做设计验证
  第9章 MOSFET的模拟模型
  第10章 MOSFET的数字模型
第二部分 CMOS数字电路
  第11章反相器
  第12章静态逻辑门
  第13章传输门和触发器
  第14章动态逻辑电路
  第15章 VLSI版图设计
  第16章 BiCMOS逻辑门
  第17章存储电路
  第18章专用数字电路
  第19章数字锁相环
第三部分 CMOS模拟电路
  第20章电流源和电流沉
  第21章基准源
  第22章放大器
  第23章反馈放大器
  第24章差分放大器
  第25章运算放大器
第四部分混合信号电路
  第26章非线性模拟电路
  第27章动态模拟电路
  第28章数据转换器基础
  第29章数据转换器结构
附录
  附录A Orbit CN20工艺
  附录B MOSIS按比例设计规划
  附录C HP CMOS14TB工艺
索引