本书较为全面地介绍了各类典型半导体器件和集成电路在核辐射（主要为中子注量、总剂量和剂量率等）和空间辐射环境下的损伤机理和效应。主要内容包括：国内外核辐射效应发展简史、研究对象和方法，核爆炸、空间、模拟源和核动力等辐射环境分析，位移、电离、剂量增强和单粒子等辐射效应机理，各类二极管、微波器件、双极和单结晶体管、异质结器件、场效应晶体管、各类线性和数字集成电路等的辐射效应，宇宙射线重离子、质子和中子等粒子在大规模和超大规模集成电路中产生的单粒子效应，X射线和低能r射线辐射器件和电路中引起的剂量增强效应，低剂量率辐射在器件和电路中产生的增强损伤，红外探测器、光电和电光器件、激光二极管和CCD等光学器件的辐射效应。
鄂公网安备 42010302001612号 