本书汇集了作者在三维结构MOS晶体管技术研究方面所取得的主要研究成果。内容涉及背栅、平面双栅、可分离双栅MOS以及三维集成MOS器件。在背栅器件部分，主要内容为全自对准背栅MOS晶体管制作技术研究、多晶硅上高质量栅氧化硅生长技术研究以及可用于三维SRAM的高性能背栅器件的研制。在平面双栅器件部分，主要内容有单晶粒硅膜上自对准双栅MOS晶体管制作技术研究、多栅/多体MOS晶体管概念、可电分离双栅 MOS晶体管的自对准加工工艺技术研究以及低温多晶硅双栅薄膜晶体管的自对准技术研究。在三维器件部分，主要研究了层叠式共栅CMOS电路构建技术。详细描述了性能可与体硅或SOI 器件相比拟的高性能三维PMOS负载管以及由此构成的垂直自对准三维CMOS反向器的的制备技术。本书可作为半导体和微电子专业的高年级本科生和研究生以及集成电路领域技术人员的参考书。
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