电子器件与电路

第1章 绪论
1-1电子学的学习
1-2电子学简史
1-3计算机的用途
1-4电路分析与电路设计
第2章 pn结
2-1简介
2-2 pn结的形成过程
2-3二极管伏安特性
2-4二极管的电流公式
2-5辨别二极管的正向与反向偏置模式"
2-6 pn结电容
2-7用electronics workbench
multisim软件分析电路
小结
练习
第3章 电路元件--二极管
3-1引言
3-2非线性器件--二极管
3-3交流电组和直流电阻
3-4含有二极管的直流电路的分析
3-5初级电源
3-6初级稳压
3-7二极管类型、额定值及规格
3-8 multisim实验
小结
练习
第4章 双极型晶体管
4-1引言
4-2 bjt工作原理
4-3共基极特性
4-4共发射极特性
4-5共集电极的特性曲线
4-6偏置电路
4-7设计考虑因素
4-8 bjt反相器(晶体管开关)
4-9晶体管的类型、额定值和规格说明书
4-10晶体管波形记录器
4-11基于workbench multisim的bjt电路分析
小结
练习
第5章 场效应晶体管
5-1简介
5-2结型场效应晶体管
5-3 jfet的偏置
5-4 jfet电流源
5-5 jfet作为模拟开关
5-6生产商的数据表单
5-7金属氧化物半导体场效应管
5-8集成电路mosfet
5-9 vmos和dmos晶体管
5-10用electronics workbench(ewb) multisim分析fet电路
小结
练习
第6章 放大器基本原理
6-1引言
6-2放大器特征
6-3放大器模型
6-4多级放大器
小结
练习
第7章 小信号晶体管放大器
7-1引言
7-2共射放大器的分析
7-3用小信号模型分析放大器
7-4直接耦合
7-5其他小信号模型
7-6共源jfet放大器
7-7共漏和共栅jfet放大器
7-8小信号mosfet放大器
7-9 muhisim仿真练习
小结
练习
第8章 理想运算放大器及分析
8-1理想运算放大器
8-2电压和、差和缩放
8-3受控电压源和受控电流源
8-4muhisim仿真练习
小结
练习
第9章 频率响应
9-1定义和基本概念
9-2分贝图和对数坐标图
9-3串联电容和低频响应
9-4并联电容和高频响应
9-5瞬态响应
9-6 bjt放大器频率响应
9-7 fet放大器频率响应
9-8 muhisim仿真练习
小结
练习
第10章 运算放大器理论及其性能
10-1模拟运算放大器
10-2反馈理论
10-3频率响应
10-4转动率和上升时间
10-5补偿电流和补偿电压
10-6运算放大器说明书
10-7 multisim仿真练习
小结
练习
第11章 高级运算放大器的应用-
11-1电子积分
11-2电子微分
11-3移相电路
11-4仪表放大器
11-5有源滤波器
11-6对数放大器
11-7 muhisim仿真练习
小结
练习
第12章 波形发生和整形
12-1电压比较器
12-2多谐振荡器和波形整形
12-3振荡器
12-4 8038集成电路信号发生器
12-5削波和整流电路
12-6箝位电路
12-7 multisim仿真练习
小结
练习
第13章 稳压和开关电源
13-1引言
13-2稳压
13-3串联和并联稳压器
13-4开关稳压器
13-5可调集成电路稳压器
13-6利用ewb分析稳压器电路
小结
练习
第14章 数字-模拟和模拟-数字转换器
14-1概述
14-2 r-2r阶梯dac
14-3加权电阻dac
14-4开关电流源dac
14-5开关电容dac：
14-6 dac性能规格
14-7计数器型adc
14-8闪光a／d转换器
14-9双斜率(积分)adc
14-10连续近似值adc
14-11 adc性能规格
14-12用ewb分析a／d电路
小结
练习
第15章 专用电子器件
15-1四层结构器件
15-2光电子器件
15-3单结晶体管
15-4隧道二极管
15-5锁相环
15-6采用electronics workbench multisim分析scr电路
小结
练习
第16章 功率放大器
16-1功率放大器的定义、应用和种类
16-2晶体管功率耗散
16-3半导体器件中的热量转移
16-4放大器类型和效率
16-5推挽式放大器原理
16-6推挽式驱动器
16-7谐波失真和反馈
16-8推挽式放大器的失真
16-9无变压器的推挽式放大器
16-10 c类放大器
16-11 mosfet和d类功率放大器
小结
练习
第17章 晶体管模拟电路结构单元
17-1引言
17-2哪和mosfet小信号等效电路
17-3电流源型／电流沟型
17-4电流反射镜
17-5增益级
17-6差分放大器
17-7密勒运算放大器
1 7-8用electronics workbench multisim
分析bjt增益级电路
小结
练习
第18章 超大规模集成数字电路设计
18-1引言
18-2 cmos组合逻辑电路的晶体管-电平实现
18-3 cmos组合逻辑电路设计
18-4 cmos逻辑电路的瞬时性态
18-5计时cmos超大规模集成电路
18-6随机存取存储器和只读存储器
18-7输入／输出(l／o)缓冲器
18-8用ewb分析晶体管-电平逻辑电路
小结
练习
附录a spice和pspice
a-1引言
a-2描述spice输入文件的电路
a-3.dc和.print控制指令
a-4.tran控制指令
a-5正弦和脉冲源
a-6初始瞬值方法
a-7二极管模型
a-8 bjt模型
a-9femp指令
a-10源和.ac控制指令
a-11结型场效应晶体管(jfet)
a-12 mos场效应管(mosfet)
a-13受控(从属)源
a-14变压器
a-15子电路
a-16设计管理器
a-17 pspice库
附录b电阻器的标准值与读取和选择电容器
b-1电阻器的标准值
b-2读取和选择电容器
附录c频率响应的推导
附录d半导体理论
d-1引言
d-2原子结构
d-3半导体材料
d-4半导体中的电流
d-5 p型和n型半导体
d-6pn结
d-7正向偏置结和反向偏置结
d-8半导体术语表
部分习题参考答案