MOS VLSI分析与设计

第1章 VLSI工艺技术
1．1 MOS工艺发展概况
1．2 NMOS工艺技术
1．3 CMOS工艺技术
第2章 MOS晶体管
2．1 MOS晶体管结构与工作原理
2．2 MOS器件电流电压方程
2．3 MOS晶体管器件参数
2．4 小尺寸MOS器件
2．5 MOS晶体管模型
2．6 等比例缩小原理
2．7 MOS晶体管限制
第3章 版图设计
3．1 设计规则
3．2 Stick图
3．3 版图设计
3．4 版图验证
第4章 数字电路设计基础
4．1 MOS反相器静态特性
4．2 MOS反相器瞬态分析
4．3 MOC旧反相器最佳设计
4．4 驱动大电容负载的最佳延迟时间
4．5 延迟模型
4．6 功耗估算
第5章 MOS数字电路
5．1 NMOS基本逻辑电路
5．2 CMOS基本逻辑电路
5．3 VLSI CMOS逻辑组态
5．4 加法器和乘法器
5．5 规则逻辑结构
5．6 ROM
5．7 RAM
5．8 时钟电路
5．9 CPU电路
第6章 MOS模拟集成电路
6．1 MOS晶体管小信号模型及其等效电路
6．2 基本的MOS模拟电路
6．3 CMOS运算放大器
6．4 动态模拟电路
6．5 A/D转换器电路
6．6 开关电容滤波器
第7章 ASIC设计技术
7．1 VLSI与ASIC
7．2 门阵列设计技术
7．3 激光门阵列技术
7．4 标准单元设计技术
7，5 积木块设计技术
7．6 可编程逻辑器件(PLD)
7．7 片上系统集成(SOC)技术
第8章 IC CAD技术
8．1 VHDL和逻辑综合
8．2 逻辑模拟和电路模拟
8．3 版图设计与验证
8．4 ASIC EDA技术
8．5 单元库建库
第9章 可测性设计(DFT)技术
9．1 可测性设计的基本概念
9．2 分块测试技术
9．3 扫描测试技术
9．4 自测试技术
9．5 边界扫描技术
第10章 可靠性设计技术
10．1 可靠性设计物理
10，2 抗静电设计
10．3 提高电路可靠性的设计规则和设计方法
10．4 抗辐照设计技术
10．5 电路可靠性设计技术
10．6 容错设计技术