第一章 SiGe技术的发展及其应用概述
1.1 SiGe器件
1.1.1 SiGe双极型器件
1.1.2 SiGe场效应器件
1.1.3 SiGe光电器件
1.1.4其他SiGe器件
1.2 SiGe-HBT的主要应用
1.2.1 SiGe放大器
1.2.2 SiGe-A/D转换器
1.2.3 SiGe振荡器
1.2.4 SiGe混频器和倍增器、倍减器
1.2.5 SiGe-HBT的其他应用
1.3 IBMSiGe技术的早期历史
1.3.1 SiGe技术的起源
1.3.2 SiGe-UHV/CVD技术的发明
1.3.3 最早采用UHV/CVD技术制作的Si外延基区晶体管
1.3.4 IBM最早的SiGe基区晶体管
1.3.5 PNP-SiGe晶体管
1.3.6 fT为75GHZ的SiGe基区晶体管
1.3.7 SiGe外延基区晶体管（ETX）
1.3.8 SGe技术的后续工作
1.4 SiGe的主要厂商、工艺及代表产品
1.4.1 SiGe技术的两种主要工艺
1.4.2 IBM的SiGe—BiCMOS工艺及产品
1.4.3 Atmel的SiGe技术
1.4.4 Maxim的SiGe技术
1.4.5 Jazz半导体公司的SiGe技术
1.4.6 TSMC（台积电）的SiGe技术
1.4.7 SiGe半导体公司
1.4.8 Sirerm.Microdevices的SiGe技术
1.5 SiGe技术的市场和前景
1.6 SiGe薄膜的制备工艺概述
1.7 开发SiGe-HBT工艺的途径
1.7.1 采用低温外延技术淀积SiGe
1.7.2 SiGe—BiCMOS的工艺集成
1.7.3 SiGe-HBT的制作
1.7.4 其他元件的工艺技术
1.8 SiGe技术的国内发展动态
参考文献
第二章 Si1-xGex的基本物理特性
2.1 Si1-xGex合金的晶格和一般性质
2.1.1 Si1-xGex合金的相图
2.1.2 Si1-xGex合金的晶体
……
第三章 应变硅技术原理
第四章 SiGe异质结构
第五章 SiGe材料的主要制备技术
第六章 Si-SiGe异质结双极型晶体管
第七章 Si-SiGe异质结场效应晶体管
第八章 应变硅器件与电路
第九章 SiGe在光电子领域的应用
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