1 半导体基础
1.1 半导体材料
1.2 晶体结构
1.3 波尔原子模型
1.4 固体材料价键模型
1.5 固体材料的能带模型
1.6 半导体中的自由载流子密度
1.7 施主杂质与受主杂质
2 载流子的输运与复合
2.1 电子与空穴的散射与漂移
2.2 漂移电流
2.3 载流子扩散
2.4 载流子产生与复合过程
3 二极管特性
3.1 介绍
3.2 理想PN结（定性）
3.3 理想同质PN结（定量）
3.4 PN结小信号阻抗
3.5 二极管的开关特性
4 双极型晶体管的静态特性
4.1 介绍
4.2 输出特性
4.3 电流增益
4.4 理想晶体管模型
4.5 缓变基区晶体管
4.6 基区宽度调变效应（EARLY效应）
4.7 晶体管的电流集边效应与基区电阻
4.8 大注入效应
4.9 基区扩展效应（KIRK效应）
4.10 发射结的复合
4.11 击穿电压
4.12 直流EBERS-MOLL基本模型
5 双极型晶体管的动态特性
5.1 交流EBERS-MOLL模型
5.2 小信号等效电路
5.3 双极型晶体管的储藏电荷电容
5.4 晶体管的频率响应
5.5 高频晶体管
5.6 开关晶体管
6 MOSFET晶体管的静态特性
6.1 介绍
6.2 MOS结构特性
6.3 MOSFET晶体管的电流电压方程
6.4 横向电场＆L与纵向电场＆L的影响
6.5 沟道电荷QCH讨论
6.6 MOSFET晶体管的阈电压
7 MOSFET晶体管的动态特性
8 MEMS工艺微电子机械系统
附录
参考文献
鄂公网安备 42010302001612号 