SOI-纳米技术时代的高端硅基材料

定　价：¥88.00

作　者：	林成鲁编著
出版社：	中国科学技术大学出版社
丛编项：	当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书
标　签：	一般工业技术

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ISBN：	9787312022333	出版时间：	2009-06-01	包装：	平装
开本：	16开	页数：	468	字数：

内容简介

　　绝缘体上硅（silicon on insulator，SOI）技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿，被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。本书收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇，主要内容包括：SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展，SOI新材料的制备科学，SOI材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅（silicon germanium on insulator，SGOI）新结构和应变硅的制备科学，SOI技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。本书可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。

作者简介

　　林成鲁，1965年毕业于中国科技大学近代化学系，现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师，上海新傲科技有限公司总工程师。长期从事高端硅基半导体新材料SOI（silicon on insulator）的研究。20世纪80年代，在国内率先开展SOI技术基础研究；90年代，作为SOI创新项目总设计师，组织领导突破SOI材料工程化的关键技术；2001年开始，作为新傲公司总工程师，为成功实现SOI研究成果转化，打破国外的技术封锁，为建成国内唯一的SOI材料工业化生产线做出了重要贡献，实现了我国微电子材料的跨越式发展，取得了重大的经济和社会效益。先后承担国家攻关、“973”、“863”等多项国家重大项目。在国内外刊物上发表论文300余篇，被SCI收录的论文240余篇。申请的国家发明专利19项，其中已授权12项。前后已为国家培养数十名研究生，所培养的研究生中获全国百篇优秀博士论文2名。曾获得国家科技进步一等奖、中科院杰出科技成就奖等十一项奖励。

图书目录

SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展
纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI
SOI技术的发展动态
硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势
Fabrication of SiGe-on-insulator and applications for strained Si
Overview of SOI materials technology in China
SOI新材料的制备科学
以注氧隔离(SIMOX)技术制备高阻SOI材料
硅中注H+引起的缺陷和应力以及剥离的机制
以AlN为绝缘埋层的新结构SOAN材料
多孔硅外延层转移技术制备SOI材料
ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构
SOI新结构——SOI研究的新动向
Fabrication of silicon．on．AlN novel structure and its residual strain characterization·
Buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by Smart-cut
Void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation
Microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on P+porous silicon
Formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon
Thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator
Study of SOI substrates incorporated with buried MoSiz layer
SOI材料与器件特有的物理效应
S0I MOSFET浮体效应研究
SOI MOSFET的自加热效应研究
S0I器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展
Evolution of hydrogen and helium CO-implanted single-crystal silicon during annealing
……
SGOI新结构和应变硅的制备科学
SOI技术的若干应用研究