负电子亲和势（NEA）半导体光电阴极的出现，是 光电阴极和以光电阴极为基础的光电子器件及仪器发展的重要突破。从此，光电 阴极的研发告别了完全以经 验为基础的局面，进入了以半导体带隙工程为指导，进行科学设计的新阶段。GaAs—NEA光电阴极，以及后来发展的由其他半导体 制成的各种NEA光电阴极的出现，不仅有力地推动了夜视技术的发展，而且使 光电阴极的应用范围扩展到高 能物理、天文、航空航天、生物化学等领域。 《负电子亲和势光电阴极及应用（精）》（作者贾欣志）以GaAs—NEA光电阴极为重点，全面介绍半导体 NEA光电阴极的发展， 各种半导体NEA光电阴极的工作原理、制备技术、性能特点及应用等内容。 《负电子亲和势光电阴极及应用（精）》适合从事电子物理、电真空物理、光电成像和夜视技术领域的 科技人员， 高等学校教师，大学生和研究生阅读参考。
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