王守武先生1950年从美国回国后致力于我国半导体器件和集成电路事业半个多世纪，我国半导体学的研究与开发的各个历程无不留下他的足迹。他在半导体的许多领域都有很深的造诣和丰硕的成果，他为我国半导体事业做出了卓越的贡献。他是我国微电子和半导体光电子科技事业的奠基人之一。他亲手研制成功了我国第一个锗合金晶体管，第一个半导体激光器，全功能4K位和16K位DRAM（动态随机存储器）等。他在国内最早积极倡导建立超净实验室，并率先在中国科学院半导体研究所自主建立了一条超净线。他最早提出研究和提高LSI（大规模集成电路）成品率问题，并在半导体研究所以4K位动态随机存储器成品率的提高做出示范。他十分重视半导体设备的研究，亲自指导设计了光刻机和电子束曝光机，并积极开展了电子束、软X射线曝光、离子束改性等基础工艺的预先研究，他多次呼吁在引进消化吸收国外技术的基础上加强自主的、创新的研究与开发，以形成植根于中国的集成电路产业。他号召有应用价值的科研成果一定要转化成产品，并努力将4K位和16K位DRAM成果从研究所推广到工厂。他十分注意创新工作，对新的思想和新的工艺他都给予热情的支持。他爱护、关心和积极培养中、青年科技队伍的成长，大胆放手让中、青年人挑重担并给予诚挚地指导和帮助。他那学识渊博、坚韧不拔、实事求是、严肃认真、言传身教、一丝不苟的优秀品质，永远是我们学习的榜样。王先生曾经多次被邀情给年轻的科技工作者做报告，他那正直的品德、和蔼的为人和严谨的科学作风，以及对半导体事业的无比热爱和高度的责任感贯穿在他的一言一行中。每一个报告都是一次生动的爱国主义教育。他用自己的亲身经历和感受鼓励青年科技人士投身到我国半导体事业中去。王守武先生这样老一辈科学家是我们学习的典范，对于他的高尚品德和学术成就应该加以整理研究、宣传和颂扬。他对我国半导体事业的贡献必将载入史册。中国科协联合多部委发起的“老科学家学术成长资料采集工程”是很有意义的一项工作。感谢首都师范大学科学技术史专业的数位老师和研究生们，用近两年的时间，走访了王先生求学和工作过的地方，访谈了三十多位王守武先生的同事、合作者、学生和家人，收集到有关王先生学术经历的著作、论文、手稿、报道、回忆录及档案等数百份资料，他们编写的这部王守武传，史料丰富详实，充分反映了王先生的学术研究和人生经历。相信此书的出版将是对科技工作者和青年学生励志和爱国主义教育的生动教材。
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