坩埚下降法晶体生长

定　价：¥59.00

作　者：	徐家跃，范世（马岂）著
出版社：	化学工业出版社
丛编项：
标　签：	化学晶体学自然科学

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ISBN：	9787122218643	出版时间：	2015-03-01	包装：	平装
开本：	16开	页数：	210	字数：

内容简介

《坩埚下降法晶体生长》对坩埚下降法的历史进行总结回顾，并分章节重点介绍几种功能晶体的生长和应用，其中包括闪烁晶体锗酸铋、硅酸铋及其混晶，四硼酸锂压电晶体生长与应用，卤化物晶体坩埚下降法生长与闪烁性能，钨酸铅闪烁晶体及其在大科学工程中的应用，弛豫铁电单晶生长于表征进展，钨酸镉闪烁晶体的坩埚下降法生长研究，中红外非线性光学晶体磷化锗锌和砷化锗镉的生长与表征等。此外，依据研究对象和目的的不同，本专著还对坩埚下降法的一些技术创新工作进行了介绍。

作者简介

徐家跃，上海应用技术学院，教授，博导，工作业绩：徐家跃教授长期从事功能晶体的坩埚下降法生长技术研究，先后主持过包括国家863项目、中国科学院重大项目、国家自然科学基金项目、上海市青年科技启明星计划项目等多项研发课题，在压电晶体LBO、新型弛豫铁电晶体PZNT、非线性光学晶体KLN、半导体ZnO及GaAs晶体等研发和技术创新方面取得了一些重要研究成果，并在国际上首创底部籽晶法（BSSG）等新生长技术，在国内外重要学术刊物上发表论文150余篇，申请国家发明专利10余项，出版专著2部。采用多坩埚下降法研制并生产的新型压电晶体LBO，被日本、韩国等多家国际大公司采用，累计产值已超过7000万元，该项目1993年获得中科院科技进步一等奖、1995年获得国家技术发明二等奖、1997年获得国家专利局与世界知识产权组织联合颁发的“中国专利创造发明金奖”。
　　主要社会兼职：现任中国能源学会副理事长、中国硅酸盐学会晶体分会理事、中国光学会光学材料分会理事、国家人工晶体材料标准化委员会委员、全国频率器件选择用压电材料标准化委员会委员、上海市硅酸盐学会理事、上海市新材料协会理事以及《无机材料学报》、《硅酸盐学报》、《人工晶体学报》等刊物编委。

图书目录

第1章历史回顾
1.1 早期工作
1.2 下降法生长卤化物单晶
1.3 下降法生长半导体单晶
1.4 下降法生长氧化物晶体
参考文献

第2章闪烁晶体锗酸铋、硅酸铋及其混晶
2.1 概述
2.2 锗酸铋晶体
2.2.1 晶体生长
2.2.2 晶体缺陷
2.2.3 晶体性能
2.2.4 应用举例
2.3 硅酸铋晶体
2.3.1 Bi2O3 SiO2赝二元系相图
2.3.2 原料合成
2.3.3 晶体生长
2.3.4 生长缺陷
2.3.5 闪烁性能及掺杂改性
2.3.6 其他物理性能
2.3.7 BSO晶体应用
2.4 硅锗酸铋混晶
2.4.1 固溶特性
2.4.2 晶体生长
2.4.3 闪烁性能
参考文献

第3章四硼酸锂压电晶体生长与应用
3.1 概述
3.1.1 压电晶体
3.1.2 四硼酸锂晶体
3.1.3 四硼酸锂晶体生长
3.2 坩埚下降法生长
3.2.1 原料合成
3.2.2 下降法生长
3.2.3 工业化生长
3.3 晶体缺陷
3.3.1 气泡和包裹物
3.3.2 串芯与云层
3.3.3 开裂
3.3.4 孪晶
3.3.5 位错及其他缺陷
3.4 物理性能
3.4.1 基本性能
3.4.2 压电性能
3.4.3 光学性能
3.4.4 其他物理性能
3.5 SAW性能及应用
3.5.1 SAW性能
3.5.2 晶片加工
3.5.3 SAW器件
3.6 总结与展望
参考文献

第4章卤化物晶体坩埚下降法生长与闪烁性能
4.1 概述
4.2 NaI：Tl晶体
4.2.1 晶体生长
4.2.2 NaI：Tl晶体的闪烁性能
4.3 碘化铯
4.3.1 晶体生长
4.3.2 碘化铯晶体的闪烁性能
4.4 BaF2晶体
4.4.1 晶体生长
4.4.2 晶体性能
4.5 PbF2晶体
4.6 SrI2：Eu晶体
4.6.1 晶体生长
4.6.2 晶体性能
4.7 稀土卤化物闪烁晶体——LaCl3：Ce和LaBr3：Ce
4.7.1 晶体生长
4.7.2 晶体性能
4.8 展望
参考文献

第5章钨酸铅闪烁晶体及其在大科学工程中的应用
5.1 概述
5.2 PWO晶体的结构特性与缺陷
5.2.1 PWO晶体的结构
5.2.2 PWO晶体的缺陷
5.3 PWO晶体生长
5.3.1 PWO晶体的提拉法生长
5.3.2 PWO晶体的坩埚下降法生长
5.3.3 PWO晶体的坩埚下降法生长设备
5.3.4 PWO晶体的坩埚下降法生长工艺及优化
5.3.5 PWO晶体定向与加工
5.3.6 PWO晶体生长工艺参数总结
5.4 PWO晶体闪烁性能
5.4.1 PWO晶体的发光和光输出
5.4.2 PWO晶体的发光衰减
5.4.3 PWO晶体的辐照硬度
5.5 PWO晶体的掺杂效应
5.5.1 一价、二价阳离子掺杂
5.5.2 三价阳离子掺杂
5.5.3 高价（五、六价阳离子）掺杂
5.5.4 一价阴离子掺杂
5.6 高光输出PWO晶体研究
5.7 PWO晶体的应用与展望
5.7.1 高能物理
5.7.2 医用闪烁体
5.7.3 Cherenkov辐射体
5.7.4 光电子应用
5.7.5 快离子导体材料
参考文献

第6章弛豫铁电单晶生长与表征的进展
6.1 概述
6.2 弛豫铁电单晶的生长
6.2.1 PZN PT和PMN PT
6.2.2 高居里温度的弛豫铁电 PT二元系晶体
6.2.3 高居里温度的弛豫铁电三元系晶体
6.3 弛豫铁电晶体的表征
6.3.1 晶体取向对性能的影响
6.3.2 电场引发的相变
6.3.3 外部直流偏压下的介电性能
6.4 商业应用和未来展望
6.4.1 单晶压电驱动器
6.4.2 医学超声成像换能器
6.4.3 声呐换能器
参考文献

第7章闪烁晶体钨酸镉坩埚下降法生长研究
7.1 闪烁晶体钨酸镉的研究进展
7.1.1 概述
7.1.2 晶体结构
7.1.3 基本性能
7.1.4 晶体生长方法
7.2 闪烁晶体钨酸镉的坩埚下降法生长
7.2.1 多晶料制备
7.2.2 晶体生长
7.2.3 若干生长技术问题
7.2.4 晶体缺陷
7.2.5 性能表征
7.2.6 掺杂晶体的研究
7.3 总结
参考文献

第8章中红外非线性光学晶体磷化锗锌和砷化锗镉的生长与表征
8.1 概述
8.2 ZnGeP2晶体
8.2.1 ZnGeP2晶体的结构
8.2.2 ZnGeP2晶体的生长
8.2.3 ZnGeP2晶体的缺陷
8.2.4 ZnGeP2晶体性能与应用
8.3 CdGeAs2晶体
8.3.1 CdGeAs2晶体的结构
8.3.2 CdGeAs2晶体的生长
8.3.3 CdGeAs2晶体的缺陷
8.3.4 CdGeAs2晶体的应用
参考文献

第9章日本氧化物晶体坩埚下降法生长研究
9.1 概述
9.2 磁性应用Mn Zn铁氧体单晶
9.2.1 概述
9.2.2 传统坩埚下降法生长Mn Zn铁氧体单晶
9.2.3 坩埚下降法连续进料晶体生长
9.2.4 小结
9.3 闪烁探测器用钨酸铅PbWO4（PWO）单晶
9.3.1 概述
9.3.2 晶体生长
9.3.3 生长方向和坩埚厚度
9.3.4 熔体成分效应
9.3.5 X射线衍射分析
9.3.6 小结
9.4 Bi4Si3O12（BSO）单晶生长
9.4.1 概述
9.4.2 小尺寸BSO晶体生长
9.4.3 大尺寸BSO晶体进展
9.4.4 Ce掺杂提高BSO晶体辐照硬度
9.4.5 小结
9.5 Nd掺杂BSO——一种新型的激光晶体
9.5.1 概述
9.5.2 Nd掺杂BSO晶体生长
9.5.3 光学性能和寿命测试
9.5.4 小结
9.6 声波器件应用大尺寸Li2B4O7（LBO）晶体生长
9.6.1 概述
9.6.2 LBO主要性能
9.6.3 下降法晶体生长
9.6.4 小结
9.7 总结
参考文献

第10章坩埚下降法技术创新
10.1 概述
10.2 改进型坩埚下降法
10.3 助熔剂坩埚下降法
10.3.1 通气诱导成核
10.3.2 ZnO晶体生长
10.3.3 PZNT晶体生长
10.4 底部籽晶法生长技术
10.4.1 底部籽晶法
10.4.2 PZNT晶体生长
10.4.3 SLN晶体生长
10.5 高温坩埚下降法生长蓝宝石
10.6 定向凝固生长大尺寸硅单晶
10.7 冷坩埚法生长钇稳定氧化锆
10.8 多坩埚下降法生长GaAs单晶
参考文献