材料缺陷的先进计算电子结构方法

定　价：¥88.00

作　者：	[瑞士] 阿尔卡斯卡等著；谌祺等译
出版社：	国防工业出版社
丛编项：
标　签：	电子通信工业技术一般性问题

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ISBN：	9787118098808	出版时间：	2015-06-01	包装：	平装
开本：	16开	页数：	303	字数：

内容简介

　　《材料缺陷的先进计算电子结构方法》探讨了改善运算的可能途径，运用更先进的电子结构方法以及作为修正和替代的超晶胞模型，将LDA+U方法、混合及筛选函的优点与多种微扰和蒙特卡洛多体理论进行对比以进行评价，并运用基于GW和混合泛函计算的Bethe-Salpeter方程和时序密度泛函理论研究了激子效应。特别研究了如何克服有限元建模中的边界效应。《材料缺陷的先进计算电子结构方法》对这些方法间的联系和基础做出了清晰的概述，介绍了特殊问题的算法选用标准。读者可以从中学到超晶胞模型的各种修正模型、作为替代品的嵌入技术以及能处理高层次复杂结构中的大量单元的改进计算方法。

作者简介

暂缺《材料缺陷的先进计算电子结构方法》作者简介

图书目录

第1章　固体缺陷与杂质电子结构方法的研究进展
第2章　量子蒙特卡罗方法对于固体点缺陷计算的准确性
第3章　多体微扰理论下界面和缺陷的电子性质：近期的发展和应用
第4章　最优极化基下GW计算的加速
第5章　屏蔽交换密度泛函下半导体能带结构和缺陷的计算
第6章　固体的HSE屏蔽杂化
第7章　杂化密度泛函理论下的缺陷能级：理论和应用
第8章　准确的带隙能级以及对其他缺陷性能计算可靠性的影响
第9章　ZnO、SnO2和TiO2中缺陷的LDA+U和杂化泛函计算
第10章　关于点缺陷计算中带隙修正的LDA+U方法的客观评价：以ZnO中的氧空位为例
第11章　运用广义Koopmans定理的密度泛函计算预测极化子缺陷态
第12章　密度泛函理论下的其他方法SiO2的计算
第13章　克服宽带半导体中双极掺杂困难
第14章　超晶胞中带电缺陷间的静电相互作用
第15章　有限温度下点缺陷的形成能量
第16章　具有紧束速度的精确Kohn-Sham DFT:材料模拟当前技术和未来方向
第17章　半导体中浅层缺陷超精细相互作用的从头格林函数计算
第18章　半导体中点缺陷激发态光谱的含时密度泛函理论研究
第19章　选用何种电子结构研究缺陷问题：评注