电子元器件权威技术指南（图文版 IEEE EDS 35周年特别推荐）

序
导言
对本书有贡献者
致谢
介绍：发展历史
第一部分：基本电子设备
1　双极晶体管
John D． Cressler and Katsuyoshi Washio
1．1　动机
1．2　pn结及其电子应用
1．3　双极结晶体管及其电子应用
1．4　双极晶体管的优化
1．5硅锗异质结双极晶体管
参考文献
2　MOSFETs
Hiroshi　Iwai， Simon Min Sze， Yuan Taur and Hei Wong
2．1　MOSFET介绍
2．2　MOSFET基础
2．3　MOSFET演化
2．4　结束语
参考文献
3　内存设备
Kinam　Kim and Dong Jin Jung
3．1　介绍
3．2　挥发性存储器
3．3　非挥发性存储器
3．4　MOS存储展望
3．5　结束语
参考文献
4　被动元件
Joachim　N． Burghartz and Colin C． McAndrew
4．1　离散和集成的被动元件
4．2　模拟IC和DRAM应用
4．3　案例研究----平面螺旋电感
4．4　集成电路中的寄生应用
参考文献
5　新兴设备
Supriyo　Bandyopadhyay， Marc Cahay and Avik W． Ghosh
5．1　不可充电开关
5．2　硅的替代物碳和石墨烯电子学和分子电子学的兴起
5．3　结束语
参考文献
第二部分　电子设备和IC制造
6　电子材料
James　C． Sturm， Ken Rim， James S． Harris and Chung-Chih Wu
6．1　介绍
6．2　硅设备技术
6．3　化合物半导体设备
6．3．1　金属半导体场效应晶体管（MESFETs）
6．3．2　高电子移动性晶体管（HEMTs）
6．3．3　异质结双极晶体管（HBT）
6．3．4　光电器件
6．4　电子显示
6．4．1　1930-2000年代：阴极射线管（CRT）
6．4．2　1990-2000年代：等离子平板显示器（PDP）
6．4．3　1990年代-现在：有源矩阵液晶显示器（AMLCD）和电泳墨水（E-ink）
6．4．4　2000年-现在：有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）
6．5　结束语
参考文献
7　紧凑建模
Colin　C． McAndrew and Laurence W． Nagel
7．1　紧凑模型的角色
7．2　双极晶体管紧凑建模
7．3　MOS晶体管紧凑建模
7．4　无源器件的紧凑建模
7．5　基准测试和实践
参考文献
8　计算机辅助设计（CAD）技术
David　Esseni， Christoph Jungemann， J¨urgen Lorenz， Pierpaolo Palestri，
Enrico　Sangiorgi and Luca Selmi
8．1　介绍
8．2　飘移扩散模型
8．3　微观传输模型
8．4　数量传输模型
8．5　过程和设备仿真
参考文献
9　电子设备、连接和电路的可靠性
Anthony　S． Oates， Richard C． Blish， Gennadi Bersuker and Lu Kasprzak
9．1　介绍和背景
9．2　设备可靠性描述
9．3　电路级可靠性描述
9．3．1　单事件翻转引起的软故障
9．3．2　IC中的机械应力效应
9．4　保证IC可靠性的微观方法
参考文献
10　半导体制造
Rajendra　Singh， Luigi Colombo， Klaus Schuegraf， Robert Doering and Alain Diebold
10．1　介绍
10．2　摘要
10．3　光刻和蚀刻
10．4　前端处理
10．5　后端处理
10．6　过程控制
10．7　装配和测试
10．8　发展方向
参考文献
第三部分　基于电子设备的应用
11　VLSI技术和电路
Kaustav　Banerjee and Shuji Ikeda
11．1　介绍
11．2　MOSFET扩展技术
11．3　低耗高速逻辑设计
11．4　缩放驱动技术的改进
11．5　低压晶体管
11．6　相互连接
11．7　存储
11．8　系统集成
参考文献
12　混合信号技术和集成电路
Bin　Zhao and James A． Hutchby
12．1　介绍
12．2　扩展CMOS中的模拟/混合信号技术
12．3　数据转换器IC
12．4　低耗显示中的混合信号电路
12．5　图像传感器技术和电路
参考文献
13　内存技术
Stephen　Parke， Kristy A． Campbell and Chandra Mouli
13．1　半导体内存历史
13．2　主流半导体内存
13．2．1　DRAM
13．2．1　DRAM
13．2．2　NAND闪存
13．3　内存技术展望
13．3．1　磁化基器件
13．3．2　PCRAM器件
13．3．3　CBRAM器件
13．4　技术语
参考文献
14　RF和微波半导体技术
Giovanni　Ghione， Fabrizio Bonani， Ruediger Quay and Erich Kasper
14．1　GaA和InP
14．2　硅和硅锗
14．3　宽带隙设备
参考文献
15　功率设备和IC
Richard　K． Williams， Mohamed N． Darwish， Theodore J． Letavic and Mikael O¨ stling
15．1　功率设备和IC概观
15．2　双负载和高耗设备
15．3　MOSFET功率设备
15．4　高电压和电源IC
15．5　宽带隙功率设备
参考文献
16　光伏设备
Steven　A． Ringel， Timothy J． Anderson， Martin A． Green， Rajendra Singh and Robert J． Walters
16．1　介绍
16．2　硅光伏
16．3　多晶硅薄膜光伏
16．4　3-4级化合物光伏
16．5　光伏展望
参考文献
17　大区域电子
Arokia　Nathan， Arman Ahnood， Jackson Lai and Xiaojun Guo
17．1　薄膜太阳能电池
17．1．1　简介
17．1．2　非晶、纳米和微晶硅
17．1．3　碲化镉（CdTe）
17．1．4　硫化物
17．1．5　有机物和聚合物
17．2　大区域影像
17．2．1　介绍和应用
17．2．2　成像结构
17．2．3　挑战
17．2．4　未来展望和发展
17．3　平板显示
参考文献
18　微电子机械系统
Darrin　J． Young and Hanseup Kim
18．1　介绍
18．2　60年代----最早的微机器结构
18．3　70年代----集成的传感器
18．4　80年代----表面微机器
18．5　90年代----各种领域的MEMS
18．6　二十一世纪----MEMS驱动的多元化复杂系统
18．7　未来展望
参考文献
19　真空装置的应用
David　K． Abe， Baruch Levush， Carter M． Armstrong，
Thomas　Grant and William L． Menninger
19．1　介绍
19．2　行波装置
19．3　调速管
19．4　诱导输出管
19．5　正交场设备
19．6　陀螺装置
参考文献
20光电设备
Leda　Lunardi， Sudha Mokkapati and Chennupati Jagadish
20．1　介绍
20．2　半导体中的光发射
20．3　光电探测器
20．4　集成光电子学
20．4．1　集成的光源
20．4．2　集成的检测器
20．5　光互连
20．6　结束语
参考文献
21　后CMOS时代设备
Wilfried　Haensch
21．1　介绍
21．2　用于8纳米节点的设备
21．3　新的材料和设备
21．3．1　碳纳米管（CNTs）
21．4　结束语
参考文献