产业专利分析报告：芯片先进制造工艺（第50册）

第1章研究概述
1.1研究背景
1.1.1技术概况
1.1.2产业现状
1.1.3行业需求
1.2研究对象和方法
1.2.1技术分解
1.2.2数据检索
1.2.3查全率、查准率评估
1.2.4相关事项约定
第2章芯片制造工艺专利现状分析
2.1概述
2.1.1外延工艺简述
2.1.2光刻工艺简述
2.1.3刻蚀工艺简述
2.1.4掺杂工艺简述
2.1.5铜互连工艺简介
2.2全球专利申请状况
2.2.1全球专利申请态势分析
2.2.2全球主要申请人分析
2.2.3专利申请国别地区分布
2.3中国专利申请状况
2.3.1中国专利申请态势分析
2.3.2中国主要申请人分析
2.3.3法律状态分析
2.4小结与建议
第3章光刻技术专利现状分析
3.1概述
3.2浸没式光刻技术的专利分析
3.2.1全球专利申请状况
3.2.2中国专利申请状况
3.3多重图形光刻技术的专利分析
3.3.1全球专利申请状况
3.3.2中国专利申请状况
3.4电子束光刻技术的专利现状
3.4.1全球专利申请状况
3.4.2中国专利申请状况
3.5小结与建议
第4章先进逻辑器件结构及其制造工艺专利现状分析
4.1FinFET技术的专利现状
4.1.1概述
4.1.2全球专利申请态势分析
4.1.3中国专利申请态势分析
4.1.4FinFET技术发展路线
4.2FDSOI技术的专利现状
4.2.1概述
4.2.2全球专利申请态势分析
4.2.3中国专利申请态势分析
4.2.4FDSOI技术技术发展路线
4.3NWFET技术的专利现状
4.3.1概述
4.3.2全球专利申请态势分析
4.3.3中国专利申请态势分析
4.4小结与建议
第5章3D
NAND制造工艺的专利现状分析
5.1概述
5.2全球专利申请态势分析
5.2.1申请趋势分析
5.2.2主要技术分布
5.2.3重要申请人分析
5.2.4重要发明人分析
5.3中国专利申请态势分析
5.3.1申请趋势分析
5.3.2主要申请人分析
5.4技术发展路线
5.4.1三星
5.4.2东芝
5.4.3海力士
5.5非实体生产公司专利布局
5.6小结与建议
第6章攻防分析
6.1旺宏与飞索
6.1.1旺宏专利状况
6.1.2飞索专利状况
6.1.3旺宏与飞索专利诉讼
6.1.4专利比对
6.1.5小结与建议
6.2海力士与东芝
6.2.1海力士专利状况
6.2.2东芝专利状况
6.2.3战略联盟
6.2.4海力士与东芝闪迪专利诉讼
6.2.5专利比对
6.2.6小结与建议
第7章结论
7.1主要结论
7.1.1晶圆处理工序及其关键步骤
7.1.2先进逻辑器件及其制造工艺
7.1.33D
NAND存储器件及其制造工艺
7.1.4攻防分析
7.2主要建议
7.2.1企业建议
7.2.2行业建议
附录
图索引
表索引