模拟电子系统设计指南：从半导体、分立元件到ADI集成电路的分析与实现（基础篇）

定　价：¥138.00

作　者：	何宾编著著
出版社：	电子工业出版社
丛编项：	电子系统EDA新技术丛书
标　签：	电子通信工业技术通信

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ISBN：	9787121326875	出版时间：	2017-10-01	包装：	平装
开本：	16开	页数：	700	字数：

内容简介

　　本书从最基本的半导体PN 结开始，以二极管、双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应管，以及美国ADI公司的集成运算放大器、集成功率放大器、集成线性低压降电源芯片、集成开关电源芯片为主线，系统介绍了半导体和PN结特性、半导体二极管的特性和分析、二极管电路的设计和分析、双极结型晶体管的特性和分析、双极结型晶体管放大电路应用、双极结型晶体管电路反馈原理及稳定分析、金属氧化物半导体场效应管特性和电路分析、金属氧化物半导体场效应管放大电路应用、运算放大器电路的设计和分析、集成差动放大器的原理和分析、运算放大器的性能指标、运算放大器电路稳定性分析、高速运算放大器的原理和分析、有源滤波器的原理和设计、功率放大器的分析和设计、振荡器的特性和分析、电源管理器的原理和应用、模拟/数字转换器的原理及应用、数字/模拟转换器的原理及应用等内容。

作者简介

　　何宾，著名的嵌入式技术和EDA技术专家，长期从事电子设计自动化方面的教学和科研工作，与全球多家知名的半导体厂商和EDA工具厂商大学计划保持紧密合作。目前已经出版嵌入式和EDA方面的著作近30部，内容涵盖电路仿真、电路设计、可编程逻辑器件、数字信号处理、单片机、嵌入式系统、片上可编程系统等。典型的代表作有《Xilinx FPGA设计*威指南》、《Altium Designer13.0电路设计、仿真与验证*威指南》、《Xilinx FPGA数字设计-从门级到行为级的双重描述》、《Xilinx FPGA数字信号处理*威指南-从HDL、模型到C的描述》、《模拟与数字系统协同设计*威指南-Cypress集成开发环境》、《STC单片机原理及应用》、《Altium Designer15.0电路仿真、设计、验证与工艺实现*威指南》、《STC单片机C语言程序设计》。

图书目录

目录
第1章模拟电子技术绪论
1.1电子技术的发展历史
1.2模拟电子技术的目标
1.2.1模拟电子技术的基础地位
1.2.2模拟电子技术的知识点结构
1.2.3模拟电子技术的研究角度
1.3模拟电子系统的评价和分析
方法
1.3.1理论分析方法类型
1.3.2理论分析方法的实质
1.3.3实际测试
第2章半导体和PN结特性
2.1半导体材料
2.1.1N型杂质
2.1.2P型杂质
2.1.3多子和少子
2.1.4费米函数
2.1.5载流子浓度
2.2零偏置PN结
2.2.1内建结电势
2.2.2电场分布
2.2.3结电势分布
2.2.4空间耗尽区宽度
2.3正偏PN结
2.3.1耗尽区宽度
2.3.2少子电荷分布
2.4反偏PN 结
2.4.1耗尽区宽度
2.4.2结电容
2.5结电流密度
2.6温度依赖性
2.7高频交流模型
2.7.1耗尽电容
2.7.2扩散电容
2.7.3正偏模型
2.7.4反偏模型
第3章半导体二极管的特性和
分析
3.1二极管的符号和分类
3.1.1二极管的符号
3.1.2二极管的分类
3.2二极管电压和电流特性
3.2.1测试电路构建和分析
3.2.2查看和分析SPICE网表
3.2.3二极管SPICE模型描述
3.2.4二极管正偏电压-电流
特性分析
3.2.5二极管反偏电压-电流
特性分析
3.2.6二极管电压-电流线性
化模型
3.3二极管温度特性
3.3.1执行二极管温度扫描分析
3.3.2绘制和分析二极管温度
特性图
3.4二极管频率特性
3.4.1波特图工具的原理
3.4.2波特图使用说明
3.4.3二极管频率特性分析
3.5二极管额定功率特性
3.6发光二极管及特性
3.7齐纳二极管及特性
3.7.1电压电流特性
3.7.2电源管理器的设计
第4章二极管电路的设计和分析
4.1二极管整流器
4.1.1半波整流
4.1.2全波整流
4.1.3平滑整流器输出
4.2二极管峰值检测器
4.2.1二极管峰值检测器原理
4.2.2包络检波器实现
4.3二极管钳位电路
4.4二极管斩波器
4.4.1二极管斩波器原理
4.4.2二极管斩波器应用
4.5二极管倍压整流器
4.6压控衰减器
第5章双极结型晶体管的特性和
分析
5.1晶体管基本概念
5.2双极结型晶体管符号
5.3双极结型晶体管SPICE
模型参数
5.4双极结型晶体管工作原理
5.4.1双极结型晶体管结构
5.4.2电压、电流和电荷控制
5.4.3晶体管的α和β
5.4.4BJT工作区域
5.5双极结型晶体管输入和
输出特性
5.5.1输入特性
5.5.2输出特性
5.6双极结型晶体管电路模型及
分析方法
5.6.1直流模型
5.6.2大信号模型
5.6.3厄尔利效应
5.6.4小信号模型
5.7密勒定理及其分析方法
5.7.1密勒定理及其推导
5.7.2密勒定理的应用
5.7.3密勒效应
5.8双极结型晶体管的直流
偏置
5.8.1有源电流源偏置
5.8.2单基极电阻偏置
5.8.3发射极电阻反馈偏置
5.8.4射极跟随器偏置
5.8.5双基极电阻偏置
5.8.6偏置电路设计
5.9共发射极放大器
5.9.1有源偏置共射极放大器
5.9.2电阻偏置共射极放大器
5.10共集电极放大器
5.10.1有源偏置射极跟随器
5.10.2电阻偏置射极跟随器
5.11共基极放大器
5.11.1输入电阻Ri
5.11.2无负载电压增益Avo
5.11.3输出电阻Ro
5.12达灵顿对晶体管
5.13直流电平移位和放大器
5.13.1电平移动方法
5.13.2电平移位的直流放大器
5.14双极结型晶体管电路的
频率响应
5.14.1高频模型
5.14.2BJT频率响应
5.15BJT放大器的频率响应
5.15.1共发射极BJT放大器
5.15.2共集电极BJT放大器
5.15.3共基极BJT放大器
5.16匹配晶体管
第6章双极结型晶体管放大电路
应用
6.1BJT多级放大器及频率
响应
6.1.1电容耦合
6.1.2直接耦合
6.1.3级联晶体管
6.1.4频率响应
6.2BJT电流源原理
6.2.1基本电流源
6.2.2改进型基本电流源
6.2.3Widlar电流源
6.2.4共射-共基电流源
6.2.5威尔逊电流源
6.2.6多重电流源
6.2.7零增益放大器
6.2.8稳定电流源
6.3BJT差分放大器原理
6.3.1采用阻性负载的BJT
差分对
6.3.2采用基本电流镜有源负载
的BJT差分放大器
6.3.3采用改进电流镜的差分
放大器
6.3.4共射极-共基极差分放
大器
6.3.5差分放大器频率响应
第7章双极结型晶体管电路反馈
原理及稳定分析
7.1放大器反馈机制类型
7.2放大器反馈特性
7.2.1闭环增益系数
7.2.2频率响应
7.2.3失真
7.3放大器反馈结构
7.3.1串联-并联反馈结构
7.3.2串联-串联反馈结构
7.3.3并联-并联反馈结构
7.3.4并联-串联反馈结构
7.4放大器反馈分析
7.4.1串联-并联反馈结构
7.4.2串联-串联反馈结构
7.4.3并联-并联反馈结构
7.4.4并联-串联反馈结构
7.5放大器稳定性分析
7.5.1闭环频率和稳定性
7.5.2瞬态响应和稳定性
7.5.3闭环极点和稳定性
7.5.4奈奎斯特稳定准则
7.5.5相对稳定性判定
7.5.6相位裕度的影响
7.5.7波特图分析稳定性方法
第8章金属氧化物半导体场效应
管特性和电路分析
8.1金属氧化物半导体场效应
管基础
8.1.1金属氧化物半导体场效应
管概述
8.1.2金属氧化物场效应晶体管
符号
8.1.3金属氧化物场效应管的基本
概念
8.1.4MOSFET的SPICE模型
参数
8.2增强型MOSFET
8.2.1内部结构
8.2.2工作模式
8.2.3工作特性
8.3耗尽型MOSFET
8.3.1内部结构
8.3.2工作模式
8.3.3工作特性
8.4MOSFET低频模型
8.4.1直流模型
8.4.2小信号模型
8.4.3小信号分析
8.5MOSFET直流偏置
8.5.1MOSFET偏置电路原理
8.5.2MOSFET偏置电路设计
8.6共源极放大器
8.6.1采用电流源负载的共源极
放大器
8.6.2采用增强型MOSFET负载的
共源极放大器
8.6.3采用耗尽型MOSFET负载的
共源极放大器
8.6.4采用电阻负载的共源极
放大器
8.7共漏极放大器
8.7.1有源偏置的源极跟随器
8.7.2电阻偏置的源极跟随器
8.8共栅极放大器
8.9直流电平移位和放大器
8.9.1电平移动方法
8.9.2电平移位的MOSFET
放大器
8.10MOSFET放大器频率响应
8.10.1MOSFET高频模型
8.10.2共源级放大器频率响应
8.10.3共漏极放大器频率响应
8.10.4共栅极放大器频率响应
第9章金属氧化物半导体场效应
管放大电路应用
9.1MOSFET多级放大器及
频率响应
9.1.1电容耦合级联放大器
9.1.2直接耦合放大器
9.1.3共源-共栅放大器
9.2MOSFET电流源原理
9.2.1基本电流源
9.2.2改进型基本电流源
9.2.3多重电流源
9.2.4共源-共栅电流源
9.2.5威尔逊电流源
9.2.6零增益放大器
9.2.7稳定电流源
9.3MOSFET差分放大器原理
9.3.1NMOSFET差分对
9.3.2采用有源负载的MOSFET
差分对
9.3.3共源-共栅MOSFET差分
放大器
9.4耗尽型MOSFET差分放大器
原理
9.4.1采用阻性负载的耗尽型
MOSFET差分对
9.4.2采用有源负载的耗尽型
MOSFET差分对
第10章运算放大器电路的设计和
分析
10.1集成运算放大器的原理
10.1.1集成运放的内部结构
10.1.2集成运放的通用符号
10.1.3集成运放的简化原理
10.2理想运算放大器模型
10.2.1理想运算放大器的特点
10.2.2放大器“虚短”和
“虚断”
10.2.3叠加定理
10.3理想运算放大器的分析
10.3.1同相放大器
10.3.2反相放大器
10.4运算放大器的应用
10.4.1电压跟随器
10.4.2加法器
10.4.3积分器
10.4.4微分器
10.4.5半波整流器
10.4.6全波整流器
10.5单电源供电运放电路
10.5.1单电源运放
10.5.2运算放大电路的基本偏置
方法
10.5.3其他一些基本的单电源供电
电路
第11章集成差动放大器的原理和
分析
11.1差分放大器的基本概念
11.2差分放大器
11.3仪表放大器
11.3.1双运算放大器（双运放）
配置
11.3.2三运算放大器配置
11.4电流检测放大器
11.4.1低侧电流测量方法
11.4.2高侧电流测量方法
11.5全差分放大器
11.5.1全差分放大器的原理
11.5.2差分信号源匹配
11.5.3单端信号源匹配
11.5.4输入共模电压
第12章运算放大器的性能指标
12.1开环增益、闭环增益和环路
增益
12.2放大器直流精度
12.2.1放大器输入端直流参数
指标
12.2.2放大器输出端直流参数
指标
12.3放大器交流精度
12.3.1增益带宽积
12.3.2压摆率
12.3.3建立时间
12.3.4总谐波失真加噪声
12.4放大器的其他指标
12.4.1共模抑制比
12.4.2电源噪声抑制比
12.4.3电源电流
12.4.4噪声指标
12.5零漂移放大器
12.5.1自稳零型放大器原理
12.5.2斩波放大器的工作原理
12.5.3两种技术的混合工作原理
第13章运算放大器电路稳定性
分析
13.1运放电路稳定性分析
方法
13.2Aol和1/β的计算方法
13.3外部寄生电容对稳定性的
影响
13.3.1负载电阻影响的瞬态分析
13.3.