目 录
第1章 绪 论
1.1 技术背景
1.2 主要内容
1.2.1 技术现状
1.2.2 市场现状
1.2.3 政策现状
1.3 主要研究内容
1.3.1 技术分解
1.3.2 数据来源及检索策略
1.3.3 查全查准验证
1.4 相关约定
1.4.1 专利分析术语
1.4.2 技术术语
第2章 第三代半导体产业全球专利态势
2.1 专利申请趋势
2.1.1 碳化硅专利申请趋势
2.1.2 氮化镓专利申请趋势
2.1.3 其他材料专利申请趋势
2.2 全球专利区域分布
2.2.1 国家/地区分布
2.2.2 专利流向分析
2.2.3 在华分布情况
2.3 主要申请人排名
2.3.1 全球专利申请人排名
2.3.2 在华专利申请人排名
2.4 技术构成
2.4.1 全球技术构成
2.4.2 主要国家/地区技术构成对比
第3章 碳化硅关键技术专利分析
3.1 碳化硅制备技术分析
3.1.1 专利申请趋势
3.1.2 主要国家/地区专利布局对比
3.1.3 主要申请人分析
3.1.4 单晶生长技术发展路线
3.1.5 外延生长技术发展路线
3.1.6 技术生命周期分析
3.2 碳化硅器件技术分析
3.2.1 专利申请趋势
3.2.2 主要国家/地区专利布局对比
3.2.3 主要申请人分析
3.2.4 碳化硅IGBT技术发展路线
3.2.5 技术生命周期分析
3.3 碳化硅应用技术分析
3.3.1 专利申请趋势
3.3.2 主要国家专利布局对比
3.3.3 主要申请人分析
3.3.4 技术生命周期分析
第4章 氮化镓关键技术专利分析
4.1 氮化镓制备技术分析
4.1.1 专利申请趋势
4.1.2 主要国家/地区专利布局对比
4.1.3 主要申请人分析
4.1.4 氮化镓技术发展路线
4.1.5 技术生命周期分析
4.2 氮化镓器件和应用技术分析
4.2.1 专利申请趋势
4.2.2 主要国家/地区专利布局对比
4.2.3 主要申请人分析
4.2.4 MicroLED技术发展路线
4.2.5 技术生命周期分析
第5章 英飞凌专利布局及运用策略分析
5.1 发展历程
5.2 专利布局
5.2.1 专利申请趋势
5.2.2 专利区域布局
5.2.3 专利主题布局
5.3 主要研发团队
5.3.1 研发团队总览
5.3.2 研发合作分析
5.4 专利运用
5.4.1 专利运用图谱
5.4.2 专利运用策略
第6章 科锐专利布局及运用策略研究
6.1 发展历程
6.2 专利布局
6.2.1 专利申请趋势
6.2.2 专利区域布局
6.2.3 专利主题布局
6.3 主要研发团队
6.3.1 研发团队总览
6.3.2 研发合作分析
6.4 专利运用
6.4.1 专利运用图谱
6.4.2 专利运用策略
第7章 第三代半导体领域主要发明人分析
7.1 发明人全景分析
7.1.1 全球主要发明人
7.1.2 技术分支主要发明人
7.2 国外主要发明人
7.2.1 国外发明人
7.2.2 技术分支主要发明人
第8章 第三代半导体领域专利转让策略研究
8.1 专利转让态势分析
8.1.1 专利转让趋势
8.1.2 专利转让主要区域
8.1.3 专利转让人排名
8.1.4 专利受让人
8.1.5 专利转让技术排名
8.2 英飞凌专利转让案例分析
第9章 第三代半导体领域专利许可策略研究
9.1 专利许可分析
9.1.1 专利许可趋势
9.1.2 专利许可人排名
9.1.3 专利被许可人
9.1.4 专利许可技术排名
9.2 科锐专利许可案例分析
第10章 第三代半导体领域专利诉讼策略研究
10.1 专利诉讼态势分析
10.1.1 专利诉讼主要国家/地区
10.1.2 专利诉讼人排名
10.1.3 专利诉讼技术排名
10.2 专利诉讼案例分析
10.2.1 科锐vs.旭明光电
10.2.2 威科vs.中微半导体
10.3 专利诉讼策略小结
第11章 美国政府资助项目知识产权产出机制研究
11.1 项目简介
11.2 美国政府资助项目专利产出机制
11.3 美国政府资助典型案例分析
第12章 主要结论和建议
12.1 主要结论
12.2 主要建议
附录 美国政府资助项目碳化硅领域主要专利
图索引
表索引
鄂公网安备 42010302001612号 