世界能源的日益紧缺和人们环保意识增强的当下,薄膜太阳能电池应用研究已成为世界各国研究的热点。化合物半导体Cu2ZnSnS4(CZTS)由于持有太阳能电池所要求的禁带宽度和较大的光吸收系数而被广泛研究。本专著内容分为八章,一章叙述太阳能电池工作原理、CZTS太阳能电池研究背景以及一性原理计算方法。第二、三、四章利用一性原理计算方法分别计算了CdS/ CZTS和ZnO/ CZTS异质结界面能带带阶。第五章分析了二次相对CZTS吸收层材料内的影响。第六章调整了Cd1-xZnxS/CZTS异质界面能带结构。第七章以IV 族的Si和Ge代替Sn原子,计算并比较了ZnS/Cu2ZnIVS4(IV=Si,Ge,Sn)界面能带带阶。第八章本专著总结。