本书是作者近年来在对二维化合物材料的电子结构、磁特性以及相变的研究基础上撰写而成的,系统地介绍了吸附、掺杂、缺陷等调控方法对二维MoS2和InSe材料的电子性质及磁特性的影响。全书共分七章,前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法。第3章介绍了Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构、电子性质的影响,第4章介绍了反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响,第5章介绍了非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响,第6章介绍了3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响,第7章介绍了小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响。 本书可供相关低维材料领域的科技工作者参考,也可作为高等院校相关专业的本科生和研究生的参考书。