新型瞬态电真空半导体光电子器件与技术

第1章 绪论
1．1 光电子器件的瞬态
1．2 半导体紫外光发射器研究现状与进展
1．3 真空半导体器件瞬态优势与艾里光束的非线性瞬态调制技术
第2章 宽禁带半导体电光器件瞬时激射
2．1 异质结器件电瞬时发光机理
2．2 异质结薄膜的MIS结紫外光发射器件
2．2．1 波长调控机理
2．2．2 器件制备流程与工艺
2．2．3 异质结薄膜MIS结制备
2．2．4 MIS结光发射器件的电泵浦随机激光
2．3 波长可调的紫外电致发光和随机激光
2．3．1 MIS结光发射器件的制备
2．3．2 波长可调的电致发光和随机激光
2．3．3 电致发光机制与讨论
2．4 MIS结激光二极管的瞬态技术
2．4．1 纳米线阵列的水热合成与物性
2．4．2 纳米线性能提升
2．4．3 纳米线的光学和电学输运性质
2．4．4 纳米线的电泵浦受激发射和机制
2．5 本章小结
第3章 电真空光电倍增与复合探测原理
3．1 电真空光电倍增器件复合探测的应用背景与原理
3．1．1 复合探测的应用背景
3．1．2 复合探测原理
3．2 微通道空间波导阳极复合探测器件
3．2．1 复合波导阳极结构与工作原理
3．2．2 复合波导阳极设计原理与特性
3．3 器件级电子光学系统设计、工艺与验证
3．3．1 器件级工艺与实现
3．3．2 复合探测原理性验证
3．4 微通道空间复合波导栅型复合探测器件
3．5 本章小结
第4章 EBAPS瞬时光电倍增器件
4．1 EBAPS的基本结构及原理
4．2 入射光电子在电子倍增层中的散射模型
4．2．1 入射光电子的运动轨迹基本模型
4．2．2 散射截面
4．2．3 非弹性散射的能量损失
4．2．4 坐标系变换
4．2．5 计算机模拟电子运动轨迹的物理模型
4．3 EBAPS中电子倍增层内电子散射特性的影响因素
4．3．1 入射光电子能量对电子散射特性的影响研究
4．3．2 死层厚度与能量损失率的关系
4．3．3 掺杂浓度对倍增层内电子散射特性的影响
4．3．4 入射光电子束直径与电子散射特性的关系研究
4．3．5 倍增电子分布模拟研究
4．4 EBAPS电荷收集效率理论模拟与测试方法
4．4．1 基底均匀下EBAPS电荷收集效率理论模拟研究
4．4．2 基底梯度掺杂下EBAPS电荷收集效率理论模拟研究