多元非晶氧化物薄膜及其薄膜晶体管

第1章 绪论
1．1 薄膜晶体管的技术特点
1．2 氧化物材料及多元非晶氧化物TFT的优势
1．2．1 氧化物材料
1．2．2 多元非晶氧化物TFT的优势
1．3 多元非晶氧化物TFT的结构、工作原理及性能表征
1．3．1 多元非晶氧化物TFT的结构
1．3．2 多元非晶氧化物TFT的工作原理
1．3．3 多元非晶氧化物TFT的性能指标
1．4 多元非晶氧化物TFT的研究现状
1．4．1 多元非晶氧化物沟道层的研究
1．4．2 介质层材料的研究
1．4．3 电极材料的研究
1．4．4 器件结构的研究
1．4．5 多元非晶氧化物TFT在显示领域的应用现状
1．5 选题意义及研究内容
参考文献
第2章 多元非晶氧化物TFT的制备及表征
2．1 多元非晶氧化物TFT的成膜工艺
2．1．1 溶胶凝胶法
2．1．2 真空蒸发法
2．2 多元非晶氧化物TFT的结构与制备流程
2．3 表征方法
2．3．1 溶胶的热重分析
2．3．2 薄膜的厚度测试
2．3．3 薄膜的结构分析测试
2．3．4 薄膜光学性能测试
2．3．5 薄膜电学性能测试
2．3．6 薄膜晶体管电学性能测试
参考文献
第3章 非晶La-Zn-Sn-O沟道层及其薄膜晶体管的研究
3．1 概述
3．2 La-Zn-Sn-O沟道层薄膜及其薄膜晶体管的制备
3．3 溶胶的TGA测试
3．4 La-Zn-Sn-O薄膜结构与性能的研究
3．4．1 La含量对薄膜特性的影响
3．4．2 膜厚对薄膜特性的影响
3．5 非晶La-Zn-Sn-O薄膜晶体管电学性能的研究
3．5．1 沟道层La含量对薄膜晶体管性能的影响
3．5．2 沟道层厚度对薄膜晶体管性能的影响
3．6 本章小结
参考文献
第4章 非晶A1-In-Zn-O沟道层及其薄膜晶体管的研究
4．1 概述
4．2 A1-In-Zn-O沟道层薄膜及其薄膜晶体管的制备
4．3 溶胶的TGA测试
4．4 A1-In-Zn-O薄膜结构与性能的研究
4．4．1 A1含量对薄膜特性的影响
4．4．2 退火温度对薄膜特性的影响
4．5 非晶A1-In-Zn-O薄膜晶体管电学性能的研究
4．5．1 沟道层A1含量对薄膜晶体管性能的影响
4．5．2 沟道层退火温度对薄膜晶体管性能的影响
4．5．3 高／低电阻率双沟道层薄膜晶体管的制备及性能的研究
4．6 本章小结
参考文献
第5章 有机聚甲基丙烯酸甲酯介质层的研究
5．1 概述
5．2 介质层薄膜的制备
5．3 溶胶的TGA测试
5．4 介质层薄膜的性能分析
5．4．1 薄膜的表面形貌
5．4．2 薄膜的光学性能
5．4．3 薄膜的介电特性
5．5 介质层厚度对薄膜晶体管性能的影响
5．6 本章小结
参考文献
第6章 氧空位及A1掺杂IZO电子结构的性原理研究
6．1 概述
6．2 密度泛函理论
6．2．1 Hohenberg-Kohn定理
6．2．2 自洽Kohn-Sham方程
6．2．3 局域密度近似
6．3 模型构建与计算方法
6．4 理想IZO电子结构的理论计算与分析
6．5 氧空位缺陷对IZO电子结构的影响
6．6 A1掺杂对IZO电子结构的影响
6．7 本章小结
参考文献
第7章 结论与展望
7．1 结论
7．2 展望