新型半导体光电探测器原理与性能

第一章 半导体的光电效应
1．1 光电导效应
1．2 p-n结光伏效应
1．3 光电子发射效应
1．4 光磁电效应
第二章 光电探测器的噪声
2．1 噪声的概率分布
2．2 噪声的功率谱密度
2．3 几种常见的噪声
第三章 光电探测器的性能参数
3．1 光电探测器的工作条件
3．2 光电探测器的响应
3．3 光电探测器的噪声参数
3．4 其他参数
第四章 有机-无机杂化钙钛矿光电探测器
4．1 钙钛矿材料性质
4．2 光电导型钙钛矿光电探测器
4．3 光伏型钙钛矿光电探测器
4．4 晶体管型钙钛矿光电探测器
4．5 光电倍增型钙钛矿探测器
4．6 钙钛矿光电探测器的性能
4．7 全无机钙钛矿光电探测器
第五章 异质结构钙钛矿光电探测器
5．1 与二维材料异质
5．2 与低维纳米结构异质
5．3 其他类型的异质结构
第六章 金属-无机半导体-金属光电探测器
6．1 MSM-PDs基本结构及原理
6．2 GaAs材料MSM-PDs
6．3 InGaAs材料MSM-PDs
6．4 Si／Ge材料MSM-PDs
6．5 GaN材料MSM-PDs
6．6 ZnO材料MSM-PDs
6．7 其他无机材料MSM-PDs
6．8 金属微纳结构改善MSM-PDs的红外响应
第七章 有机光电倍增探测器的研究进展
7．1 有机光电倍增探测器的基本结构及原理
7．2 基于小分子的有机光电倍增探测器
7．3 基于聚合物的有机光电倍增探测器
7．4 有机光电倍增探测器的性能优化
7．5 有机光电倍增探测器工作原理的不同解释
第八章 光电探测器的前景
8．1 钙钛矿光电探测器的前景
8．2 金属-无机半导体-金属光电探测器的前景
8．3 有机光电倍增探测器前景
参考文献