应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术

1绪论（1）

11引言（2）

12MOS器件辐照效应的国内外研究现状（6）

121国外研究现状（6）

122国内研究现状（9）

13本书章节安排（11）


2应变Si技术及MOS器件辐照效应产生机理（13）

21应变Si技术（14）

211应变硅MOSFET性能增强机理（14）

212应变引入机制（16）

22MOS器件电离效应（21）

221MOS器件电离效应（21）

222MOS器件总剂量损伤机制（22）

23MOS器件单粒子效应（25）

231单粒子效应电荷淀积机理（27）

232单粒子效应电荷收集机理（27）

233单粒子瞬态效应模型（30）

24本章小结（31）


3单轴应变Si纳米沟道MOS器件设计与制造（33）

31应变Si材料（34）

311应变Si材料的能带结构（34）

312载流子迁移率的增强机制（35）

32单轴应变Si纳米沟道MOS器件设计（37）

321SiN薄膜致应变器件性能仿真（37）

322纳米级应变MOS器件工艺参数优化（40）

33单轴应变Si纳米MOS器件制造（44）

331单轴应变Si纳米沟道MOS器件制造工艺及实物样品（45）

332单轴应变Si纳米沟道MOS器件测试结果与分析（50）

34本章小结（52）


4应变Si MOS器件γ射线总剂量辐照损伤机制（53）

41辐照损伤效应总体分析（54）

411移位损伤效应（54）

412电离损伤效应（55）

42应变Si MOS器件γ射线辐照损伤的物理过程（56）

421电子空穴对的产生能量（57）

422初始的空穴逃脱（57）

423空穴的输运（58）

424深空穴陷落和退火（59）

425辐照引入的界面陷阱（60）

43本章小结（61）


5单轴应变Si纳米MOS器件总剂量辐照阈值电压模型（63）

51总剂量γ射线辐照实验（64）

52γ射线总剂量辐照MOS器件损伤机制（71）

521总剂量辐照阈值电压模型（73）

522总剂量辐照沟道电流模型（79）

523模型结果讨论与验证（80）

53总剂量X射线辐照实验（87）

54本章小结（90）


6总剂量辐照对单轴应变Si纳米MOS器件栅电流的研究（91）

61总剂量辐照热载流子栅电流模型（92）

611总剂量辐照热载流子栅电流增强机制（92）

612热载流子栅电流模型（94）

613结果与讨论（96）

62总剂量辐照隧穿栅电流模型（101）

621总剂量辐照栅隧穿电流（101）

622结果与讨论（108）

63总剂量辐照下衬底热载流子效应（112）

631衬底热载流子电流模型的建立（113）

632总剂量辐照下衬底电流的仿真分析（115）

633总剂量辐照下衬底电流的结果与讨论（116）

64本章小结（118）


7单轴应变结构对Si NMOS器件单粒子瞬态影响研究（119）

71单轴应变Si NMOS器件仿真模型（120）

72氮化硅膜的能量阻挡模型建立（123）

73不同氮化硅膜厚度下的单粒子瞬态（125）

731电离损伤参数提取（125）

732不同氮化硅膜厚度下的单粒子瞬态研究（126）

74双极效应研究（127）

741单个NMOS器件双极放大效应研究（127）

742反相器链的双极效应研究（130）

75不同重离子能量下的单粒子瞬态（134）

751电离损伤参数提取（134）

752不同重离子能量下的单粒子瞬态研究（135）

76本章小结（136）


8应变Si NMOS器件单粒子效应及加固技术研究（137）

82MOS器件单粒子瞬态效应研究（140）

821器件结构及物理模型（140）

822仿真结果与分析（141）

83总剂量辐照对单粒子瞬态效应影响（147）

831总剂量效应模型参数提取（147）

832总剂量效应与单粒子效应耦合仿真（148）

84U形沟槽新型加固器件结构（151）

841新型加固结构（151）

842新型加固器件结构对单粒子瞬态效应的影响（154）

843漏极扩展加固结构（157）

844源极扩展加固结构（158）

85两种加固结构的仿真（159）

851漏极扩展结构仿真（159）

852源极扩展结构仿真（162）

853两种结构的对比和讨论（164）

86本章小结（166）


9总结与展望（167）

参考文献（171）