半导体材料物理与技术

目录
前言
第1章 概述 1
1.1 半导体材料 2
1.2 半导体材料物理与技术 4
1.2.1 半导体材料的物理基础 4
1.2.2 半导体材料的物理性能 6
1.2.3 半导体材料的制备技术 8
1.3 半导体材料的应用 9
第2章 半导体材料的物理性能 17
2.1 晶体材料的原子结构 18
2.2 材料的成分参数 21
2.3 材料的宏观结构特性 21
2.4 材料中电子的能带结构 22
2.5 缺陷性能 33
2.5.1 点缺陷 33
2.5.2 线缺陷 34
2.5.3 面缺陷 36
2.5.4 界面缺陷 37
2.5.5 体缺陷 38
2.5.6 表面缺陷 38
2.6 表面与界面性能 39
2.7 电学性能 41
2.7.1 平衡态下材料的电学特性 42
2.7.2 外场作用下的材料电学特性 46
2.7.3 非平衡态下的材料电学特性 48
2.7.4 载流子的碰撞电离特性 52
2.7.5 压电特性 52
2.8 光学性能 52
2.8.1 光在材料中的传播特性 53
2.8.2 材料的光吸收特性 53
2.8.3 材料的辐射特性 55
2.8.4 材料表面的光散射特性 56
2.9 磁学性能 56
2.10 力学性能 57
2.11 材料性能的非均匀性 58
2.12 热学与热力学性能 58
2.12.1 热学性能 58
2.12.2 相图 59
2.12.3 缺陷化学理论及其相关的材料热力学常数 64
2.12.4 材料中原子的扩散特性 65
第3章 半导体材料的生长 71
3.1 晶体生长的基础理论 71
3.1.1 生长方式与驱动力 72
3.1.2 成核理论 73
3.1.3 生长速率和生长模式 75
3.1.4 平衡形态理论 78
3.1.5 生长过程中的传输理论 79
3.2 体晶材料的生长技术 82
3.2.1 布里奇曼法 83
3.2.2 区熔法 92
3.2.3 切克劳斯基法 94
3.2.4 物理气相传输法 100
3.3 外延材料的生长技术 102
3.3.1 液相外延 104
3.3.2 分子束外延 110
3.3.3 金属有机气相沉积 123
3.3.4 其他一些气相外延技术 130
3.4 低维材料生长技术简介 132
第4章 半导体材料的热处理 137
4.1 热处理的基本原理 137
4.1.1 相平衡热处理 137
4.1.2 非平衡热处理 141
4.1.3 热处理过程中原子运动的基本规律 141
4.2 热处理工艺的实现方式 142
4.2.1 闭管热处理 142
4.2.2 开管热处理 143
4.2.3 快速降温热处理 146
4.2.4 快速热处理 146
4.2.5 高低温循环热处理 147
4.2.6 高压热处理 147
4.2.7 多源热处理 148
4.2.8 离子源热处理 150
4.3 半导体材料热处理的实际应用 151
4.3.1 本征点缺陷种类和浓度的调控 151
4.3.2 掺杂和杂质性质的调控 153
4.3.3 杂质浓度和位错密度的降低 154
4.3.4 体缺陷尺寸的减小 154
4.3.5 化合物材料组分分布的调整 155
4.3.6 半导体材料界面特性的改善 156
4.3.7 材料的隔离？剥离和粘接 156
4.4 热处理工艺的注意事项 156
第5章 半导体材料性能参数的测量 161
5.1 几何结构特性的测量 162
5.2 光学性能的测量 164
5.2.1 透射光谱的测量 166
5.2.2 反射光谱的测量 168
5.2.3 椭圆偏振光谱的测量 169
5.2.4 散射光谱的测量 171
5.2.5 光荧光光谱的测量 172
5.2.6 阴极荧光光谱的测量 173
5.3 电学性能的测量 173
5.3.1 电阻率的测量 174
5.3.2 载流子特性的测量 177
5.3.3 表面光电压测量技术 184
5.3.4 光电导衰退法测量技术 185
5.3.5 微波反射法测量技术 186
5.3.6 光束诱导或电子束诱导电流的测量 188
5.3.7 深能级瞬态谱的测量 189
5.3.8 角分辨光电子能谱的测量 192
5.3.9 界面电学特性的测量 194
5.4 缺陷性能的测量 196
5.4.1 化学腐蚀法 196
5.4.2 热腐蚀法 200
5.4.3 散射光激光扫描成像法 200
5.4.4 透射显微镜成像法 200
5.4.5 热波法测量技术 201
5.5 材料晶格特性的测量 202
5.5.1 晶向测定技术 202
5.5.2 X光衍射技术 203
5.5.3 反射式高能电子衍射技术 211
5.5.4 与晶格特性相关的材料宏观性能参数的测量 213
5.6 显微结构的测量 214
5.6.1 微分干涉相差显微镜 214
5.6.2 共聚焦显微镜 216
5.6.3 近场光学显微镜 217
5.6.4 扫描力显微镜 218
5.6.5 电子显微镜 219
5.6.6 场离子显微镜 223
5.7 原子成分和浓度的测量 224
5.7.1 基于原子价电子跃迁的特征光谱测量技术 225
5.7.2 基于原子内壳层电子跃迁的X射线特征光谱测量技术 227
5.7.3 基于被激发电子的能谱测量技术 228
5.7.4 基于质谱分析的测量技术 229
5.8 热力学特性的测量 237
5.8.1 差热分析法 237
5.8.2 差示扫描量热法 238
5.8.3 绝热量热法 239
5.8.4 热流法(或热板法)239
5.8.5 激光闪射法 239
5.8.6 热膨胀系数的测量 240
第6章 半导体材料制备工艺的基础技术 243
6.1 半导体工艺中辅助材料的选用 243
6.2 半导体材料工艺中的净化和纯化工艺 246
6.2.1 水的纯化 246
6.2.2 气体的纯化 247
6.2.3 环境的净化 250
6.2.4 工艺所用材料和腔体的洁净处理 253
6.3 半导体设备的真空技术 256
6.3.1 真空泵 257
6.3.2 真空部件 259
6.3.3 真空系统 264
6.3.4 真空度的测量 267
6.3.5 抽真空工艺 268
6.3.6 真空系统的检漏 269
6.4 半导体工艺中的加热技术 271
6.4.1 加热 271
6.4.2 温场的建立和控制 273
6.4.3 温度的测量 275
6.4.4 温度的控制 277
6.5 源材料的制备技术 279
6.5.1 提纯技术 279
6.5.2 合成技术 283
6.6 半导体材料的加工工艺 285
6.6.1 晶体滚圆 285
6.6.2 晶锭切割 286
6.6.3 划片与倒角 286
6.6.4 表面抛光 287
6.6.5 单点金刚石切削 290
6.6.6 剥离和粘接技术 290
6.7 其他与工艺相关的辅助性技术 294