晶体管非线性模型参数提取技术

第1章 绪论
1．1 模型提取的挑战
1．1．1 精确性
1．1．2 数值收敛
1．1．3 建模晶体管的选择
1．2 模型提取流程
参考文献
第2章 直流与热模型：Ⅲ-V族FET和HBT
2．1 介绍
2．2 基本的直流特性
2．3 FET直流参数和建模
2．4 HBT直流参数和建模
2．5 工艺控制监测
2．6 热建模概述
2．7 基于物理的HBT热缩放模型
2．8 基于测量的FET热模型
2．9 晶体管可靠性评估
参考文献
第3章 Ⅲ-V族HBT和HEMT器件的非本征参数和寄生元件建模
3．1 引言
3．2 测试、校准和去嵌的构架
3．3 HBT非本征参数提取方法
3．3．1 等效电路拓扑
3．3．2 接触电阻和叠层电容的物理描述
3．3．3 外部电阻和电感的提取
3．4 HEMT非本征参数提取方法
3．4．1 冷FET方法
3．4．2 无偏置方法
3．4．3 GaNHEMT的特别之处
3．5 多胞阵列的缩放
参考文献
第4章 小信号等效电路建模的不确定性
4．1 介绍
4．1．1 建模中的不确定性来源
4．1．2 测量不确定性
4．2 直接提取方法的不确定性
4．2．1 直接提取的简单例子
4．2．2 晶体管测量结果
4．3 基于优化器的估计技巧
4．3．1 似然估计
4．3．2 小信号晶体管模型参数的MLE
4．3．3 MLE与直接提取方法的比较
4．3．4 MLE在RF-CMOS去嵌中的应用
4．3．5 讨论
4．4 等效电路建模中的复杂性与不确定性
4．4．1 寻找模型拓扑
4．4．2 说明实例
4．5 总结和讨论
参考文献
……
第5章 大信号模型：理论基础、实际因素及进展
第6章 大尺寸装晶体管
第7章 高频功率晶体管非线性特性和色散效应模拟
第8章 模型构建和验证的优化微波测量
第9章 高效电路设计的实用统计仿真
第10章 噪声建模