移动互联网芯片技术体系研究

定　价：¥79.00

作　者：	陈新华著
出版社：	电子工业出版社
丛编项：
标　签：	暂缺

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京东 (¥62.30)

ISBN：	9787121388996	出版时间：	2020-12-01	包装：	平装
开本：	16开	页数：	200	字数：

内容简介

　　近年来，集成电路技术急速发展，特别是移动互联网芯片技术，知识迭代不断加快，新技术不断涌现。本书在比较全面、系统地介绍移动互联网芯片产业概况、主要终端芯片、主要技术体系的基础上，详细阐述了MEMS芯片设计的方法和移动互联网芯片先进封装可靠性检测研究的相关内容。本书可供广大移动互联网芯片技术领域的工程师、研发人员、技术管理人员和科研人员阅读参考，也可以作为相关专业高年级本科生和研究生的参考书。

作者简介

　　陈新华，北京建筑大学机电学院教师，北京交通大学机电学院博士，CFMB技术委员会专家。长期从事载运工具运用工程方向的教学和科学研究，主持了教育部产学合作协同育人项目、北京市优秀人才培养资助青年骨干个人项目、住建部科技计划项目，并作为骨干成员参与国家973”计划子课题、国家863”计划课题和核高基重大专项等课题，发表在《Materials》《Progress in Natural Science： Materials International》等SCI和EI期刊发表论文十余篇，申请及授权发明专利5项，相关成果获得中共北京市教委北京高校青年教师社会调研优秀成果资助项目一等奖、中国科学技术协会科普贡献者”荣誉证书等奖项。

图书目录

目录
第1章绪论\t001
1．1 芯片产业概况\t001
1．2 影响芯片产业走向的关键因素\t002
1．2．1 生态体系构建\t003
1．2．2 芯片技术研发\t004
1．2．3 工艺制程\t004
1．2．4 用户与伙伴\t005
1．2．5 政策扶持\t005
1．3 我国移动互联网芯片发展的机遇与挑战\t005
1．3．1 后来居上的创新机遇\t005
1．3．2 未来升级的挑战和短板\t007
第2章移动互联网主要终端芯片\t011
2．1 基带处理器\t012
2．1．1 基带芯片\t012
2．1．2 射频芯片\t014
2．2 应用处理器\t014
2．2．1 CPU\t015
2．2．2 GPU\t015
2．2．3 AI芯片\t016
2．2．4 电源管理芯片\t017
2．3 存储芯片\t017
2．4 MEMS芯片\t020
第3章移动互联网芯片主要技术体系\t022
3．1 芯片设计\t022
3．1．1 IP核/Chiplet与SoC设计\t025
3．1．2 指令集\t027
3．1．3 微架构\t032
3．1．4 EDA工具\t037
3．2 芯片制造的制程、设备与材料\t038
3．2．1 先进制程工艺\t038
3．2．2 设备和相关材料\t041
3．3 芯片封装与测试\t042
3．3．1 SIP技术\t043
3．3．2 多芯片fcCSP封装\t046
3．3．3 3D封装\t047
3．3．4 扇出式封装\t049
本章参考文献\t052
第4章 MEMS微波功率传感器芯片设计与模拟研究\t054
4．1 微波功率传感器及其应用\t054
4．2 国内外发展现状\t055
4．3 微波功率传感器的设计\t059
4．3．1 微波功率传感器的原理与理论\t059
4．3．2 微波功率传感器的基本单元与性能\t065
4．3．3 微波功率传感器的结构与材料\t068
4．3．4 微波功率传感器的制造工艺\t071
4．4 仿真软件简介\t075
4．5 微波功率传感器的仿真\t077
4．6 本章小结\t085
本章参考文献\t085
第5章移动互联网芯片先进封装可靠性检测研究\t087
5．1 发展现状\t089
5．1．1 国内现状\t089
5．1．2 国外现状\t090
5．2 试验样本及参照标准介绍\t092
5．2．1 TSV技术类型\t092
5．2．2 TSV芯片结构\t092
5．2．3 TSV芯片制造工艺\t094
5．3 可靠性试验概述\t095
5．3．1 可靠性定义\t095
5．3．2 目的\t096
5．3．3 分类\t096
5．4 可靠性试验标准介绍\t096
5．4．1 JESD22-A113E\t096
5．4．2 JESD22-A104E\t097
5．4．3 JESD22-A118E\t097
5．4．4 JESD22-A102E\t098
5．4．5 IPC/JEDECJ-STD-020．1\t098
5．4．6 GJB 548B―2005\t098
5．4．7 GJB 7400―2011\t099
5．5 可靠性试验方法\t099
5．5．1 试验仪器\t099
5．5．2 试验内容及参数确定\t100
5．6 表征方法\t107
5．6．1 形状分析激光显微镜\t107
5．6．2 X射线（X-Ray）检测仪分析\t108
5．6．3 超声波扫描电子显微镜（C-SAM）分析\t109
5．6．4 场发射扫描电子显微镜（SEM）分析\t110
5．6．5 X射线能谱仪（EDS）分析\t111
5．6．6 聚焦离子束（FIB）技术\t112
5．7 试验数据及图像分析\t112
5．7．1 形状分析激光显微镜分析结果\t112
5．7．2 初始芯片A、B\t113
5．7．3 PC试验后芯片C、D\t120
5．7．4 TC试验后芯片E、F\t129
5．7．5 UHAST试验后芯片G、H\t138
5．7．6 PCT试验后芯片I、J\t147
5．8 X-Ray检测仪分析结果\t156
5．9 C-SAM分析结果\t158
5．10 SEM与EDS分析结果\t159
5．11 本章小结\t184
本章参考文献\t186