宽禁带半导体电子材料与器件

目录
丛书序
序
前言
第1章 绪论1
第2章 氮化物宽禁带半导体及其异质结构的物理性质6
2.1 氮化物半导体的基本物理性质6
2.2 氮化物半导体异质结构的基本物理性质10
2.3 氮化物半导体异质结构中2DEG的高场输运性质12
2.4 氮化物半导体异质结构中2DEG的量子输运性质18
2.5 氮化物半导体异质结构中2DEG的自旋性质23
参考文献27
第3章 氮化物半导体及其异质结构的外延生长34
3.1 氮化物半导体的外延生长方法概述34
3.2 氮化物半导体的同质外延生长57
3.3 氮化物半导体的异质外延生长61
参考文献79
第4章 氮化物半导体射频电子器件93
4.1 GaN基射频电子器件概述93
4.2 SiC衬底上GaN基微波功率器件94
4.3 Si衬底上GaN基射频电子器件104
4.4 GaN基超高频电子器件108
4.5 GaN基射频电子器件的应用113
参考文献119
第5章 氮化物半导体功率电子器件123
5.1 GaN基功率电子器件概述123
5.2 增强型GaN基功率电子器件及异质结构能带调制工程125
5.3 GaN基功率电子器件表面／界面局域态特性与调控136
5.4 GaN基垂直结构功率电子器件140
5.5 GaN基功率电子器件的可靠性147
5.6 GaN基功率电子器件的应用158
参考文献167
第6章 SiC半导体单晶衬底及外延材料176
6.1 SiC半导体的基本物理性质176
6.2 SiC半导体单晶衬底材料的生长179
6.3 SiC半导体材料的外延生长184
参考文献199
第7章 SiC半导体功率电子器件205
7.1 SiC基功率电子器件概述205
7.2 SiC基整流二极管206
7.3 SiC基功率开关器件216
7.4 SiC基功率电子器件的应用226
参考文献230
第8章 半导体金刚石材料与功率电子器件236
8.1 半导体金刚石的基本物理性质236
8.2 金刚石单晶材料的制备方法245
8.3 单晶金刚石衬底的制备251
8.4 高质量半导体金刚石薄膜的外延生长256
8.5 半导体金刚石的掺杂和电导调控257
8.6 金刚石基半导体功率电子器件261
参考文献269
第9章 氧化镓半导体功率电子材料与器件280
9.1 氧化镓半导体的基本物理性质280
9.2 氧化镓半导体单晶材料的生长282
9.3 氧化镓基半导体功率电子器件296
参考文献309