短波红外InGaAs探测器辐照特性研究

第一章 引言
第一节 红外探测器的发展及其航天遥感应用
一、红外探测器的发展
二、红外探测器的航天遥感应用
第二节 航天遥感用半导体器件的辐照效应
一、空间辐照环境
二、半导体器件的辐照效应
第三节 航天应用短波红外InGaAs探测器的发展
第四节 研究目的和主要内容
第二章 理论基础
第一节 光电器件的辐照效应理论
一、辐照对半导体的基本损伤机制
二、辐照效应对光电器件特性的影响
第二节 光电探测器的低频噪声理论
第三节 μ-PCD提取材料少子寿命理论基础
第四节 小结
第三章 短波红外InGaAs探测器器件物理研究
第一节 概述
一、μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子寿命
二、延伸波长InGaAs器件的低频噪声研究
第二节 μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子寿命
一、实验
二、结果与讨论
第三节 延伸波长In0.83Ga0.17As探测器的低频噪声研究
一、实验
二、两种不同钝化方式探测器的1／f噪声特性比较
三、利用器件g-r噪声特性提取缺陷能级
第四节 小结
第四章 短波红外InGaAs探测器的γ辐照效应
第一节 概述
第二节 实验
一、器件制备
二、辐照和测试
第三节 晶格匹配InGaAs探测器的γ辐照效应
一、非原位测试
二、原位测试
第四节 延伸波长InGaAs探测器的γ辐照效应
第五节 小结
第五章 延伸波长InGaAs探测器的质子辐照效应
第一节 概述
第二节 实验
第三节 结果与讨论
一、辐照对器件暗电流的影响
二、辐照对器件低频噪声的影响
三、辐照对材料PL谱的影响
四、辐照对器件探测率和量子效率的影响
第四节 小结
第六章 总结与展望
第一节 总结
一、利用μ-PCD测试提取In0.53Ga0.47As材料的少子寿命
二、延伸波长In0.83Ga0.12As探测器的低频噪声特性
三、短波红外InGaAs探测器的γ辐照效应
四、In0.83Ga0.17As材料和器件的质子辐照效应
第二节 展望
一、利用μ-PCD提取In0.53Ga0.47As材料少子寿命的研究有待完善
二、利用器件g-r噪声提取缺陷能级的准确性问题
三、对辐照损伤微观机理的研究有待深入
四、抗辐照加固工作有待开展
参考文献