真空镀膜技术与设备（第2版）

1 真空蒸发镀膜
1.1 概述
1.2 真空蒸发镀膜基础理论
1.2.1 真空蒸发镀膜的物理过程
1.2.2 蒸发镀膜的真空条件
1.2.3 真空镀膜的蒸发条件
1.2.4 膜材的蒸发速率
1.2.5 残余气体对膜层的影响
1.2.6 蒸镀粒子在基片上的沉积
1.3 蒸发源
1.3.1 电阻加热式蒸发源
1.3.2 电子束加热蒸发源
1.3.3 感应加热式蒸发源
1.3.4 空心热阴极电子束蒸发源
1.3.5 激光加热蒸发源
1.3.6 电弧加热蒸发源
本章小结
思考题
2 真空溅射镀膜
2.1 溅射镀膜原理
2.2 溅射与沉积成膜
2.2.1 放电溅射模式
2.2.2 溅射原子的能量与角分布
2.2.3 溅射产额与溅射速率
2.2.4 薄膜沉积
2.2.5 沉积速率
2.3 溅射镀膜方法
2.4 直流二极溅射
2.5 磁控溅射
2.5.1 磁控溅射工作原理
2.5.2 磁场在磁控溅射中的作用
2.5.3 磁控溅射镀膜的特点
2.5.4 平面磁控溅射靶
2.5.5 圆柱形磁控溅射靶
2.5.6 传统平面磁控溅射靶存在的问题
2.6 射频（RF）溅射
2.7 非平衡磁控溅射
2.7.1 非平衡磁控溅射原理
2.7.2 非平衡磁控溅射与平衡磁控溅射比较
2.8 反应磁控溅射
2.8.1 反应溅射的机理
2.8.2 反应溅射的特性
2.9 中频交流反应磁控溅射
2.9.1 中频交流磁控溅射原理
2.9.2 中频双靶反应溅射的特点
2.10 非对称脉冲溅射
2.11 离子束溅射
本章小结
思考题
3 真空离子镀膜
3.1 离子镀的类型
3.2 真空离子镀原理及成膜条件
3.2.1 离子镀原理
3.2.2 离子镀的成膜条件
3.3 等离子体在离子镀膜过程中的作用
3.3.1 离子镀过程中的离子轰击效应
3.3.2 离子轰击对膜/基界面的影响
3.4 离子镀中基片负偏压的影响
3.5 离子镀的离化率
3.6 离子镀膜工艺及其参数选择
3.6.1 镀膜室的气体压力
3.6.2 反应气体的分压
3.6.3 蒸发源功率
3.6.4 蒸发速率
3.6.5 蒸发源和基片间的距离
3.6.6 基片的负偏压
3.6.7 基体温度
……
4 真空等离子增强化学气相沉积技术
5 离子注入与离子辅助沉积技术
6 石墨烯薄膜的制备及其应用
7 真空镀膜机结构设计
8 镀膜源的设计计算
9 薄膜厚度的测量与监控
10 表面与薄膜分析检测技术
参考文献