陈译，副教授，男，厦门理工学院，获得日本国立琉球大学电气电子工学专业博士学位，厦门市双百人才，于2010年4月进入日本三垦电气株式会社，从事功率半导体器件（IGBT、MOSFET、SiC SBD、SiC MOSFET）的研发与产业化，经历了先进功率半导体产业和技术发展的重要过程，参与或领导团队研发了30个品种以上的功率器件并实现产业化。其主持研制的IGBT、MOSFET芯片已卖出数百万片（其中IGBT芯片主要供货给格力电器），总产值超过20亿日元。截止目前，拥有授权和受理发明专利50余项，实用新型10余项，发表科研论文15篇。在面向工业和车规级的高端功率器件研发及量产方面经验丰富，尤其擅长高端IGBT、Split-gate MOSFET、SiC功率器件的研究。 主要成果： 1）发明新型结构沟槽肖特基二极管，综合性能比市面通用量产产品高出20%，并申报多项日本发明专利； 2）设计完成基于第六代沟槽场终止型（Field Stop）IGBT，并实现批量生产； 3）设计完成深槽分裂栅结构IGBT，综合性能领先于目前国际*高水平并实现工程流片成功； 4）主持完成丰田汽车高可靠性车载应用功率MOSFET设计和制造； 5）设计开发1200V级SiC MOSFET器件并实现工程流片成功。 上述均属于国内开创性或者领先水平的成果，综合性能达到甚至领先于国际同类产品，具有巨大的技术和商业价值。
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