第三代半导体技术与应用

定　价：¥128.00

作　者：	姚玉，洪华编
出版社：	暨南大学出版社
丛编项：	中国芯片制造系列
标　签：	暂缺

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ISBN：	9787566832382	出版时间：	2021-12-01	包装：	平装
开本：	16开	页数：	330	字数：

内容简介

　　本书为“中国芯片制造系列”的第二本，是一本系统地阐述碳化硅半导体材料生长和加工工艺的专著，填补了国内该领域书籍对于近期碳化硅制造工艺新技术及进展介绍的空白。本书较为全面地阐述了不同晶型的碳化硅从长晶、衬底制造、外延制造全流程的生产技术，展现了国内外碳化硅制造领域近期的发展成果，论述了碳化硅材料的热力学性质、生长原理、晶体掺杂和缺陷控制等相关基础理论，以及生长数据建模、测试表征等各方面知识，介绍了碳化硅上的氮化镓生长、碳化硅材料加工与封装关键工艺和碳化硅器件在各个领域的应用、前景及发展趋势等知识，是读者全面了解第三代半导体器件与系统的重要参考。

作者简介

　　姚玉，博士毕业于加拿大不列颠哥伦比亚大学，多年来专注于半导体先进封装制程材料、工艺及理论的研究，对于半导体先进封装中运用的多种关键的镀层材料以及制程的工艺整合及芯片制造、管理有着丰富的经验。参与主编《芯片先进封装制造》一书，是近年来第一本芯片领域系统性讲述新先进封装制造工艺的专业图书。洪华，东南大学电子科学与工程学院、国家示范性微电子学院、MEMS教育部重点实验室助理教授。曾入选2020年江苏省“双创计划”，2013、2015年两次入选美国能源部普林斯顿CEFRC学者，2015年被选为美国国家科学基金REU项目导师，2020年入选东南大学紫金学者。

图书目录

序言（张汝京）
前言
1 概述
1．1 碳化硅的历史和性质
1．2 碳化硅的应用及材料要求
1．3 碳化硅材料在应用中的注意事项
1．3．1 电子器件
1．3．2 微机电系统
1．4 碳化硅的主要生长方法
1．4．1 籽晶升华生长
1．4．2 高温化学气相沉积
1．4．3 卤化物化学气相沉积
1．4．4 改良版的物理气相传输
1．4．5 连续进料物理气相传输
1．4．6 顶部籽晶液相生长
1．4．7 碳化硅外延层技术的发展
1．5 新颍趋势和未来发展
2 碳化硅材料生长的基本原理
2．1 碳化硅晶型
2．2 表征技术
2．2．1 生长过程可视化
2．2．2 晶体表征
2．3 物理气相传输
2．3．1 简介及热力学性质
2．3．2 生长过程控制
2．3．3 碳化硅原料制备
2．3．4 碳化硅籽晶及其安装
2．3．5 晶体形状控制
2．3．6 晶体应力控制
2．3．7 气相组成对晶体的影响
2．3．8 保证晶型稳定生长的方法
2．3．9 掺杂
2．3．1 0终止生长过程
2．3．1 1通过生长参数定制晶体特性
2．4 高温化学气相沉积
2．4．1 化学气相沉积简介
2．4．2 高温化学气相沉积简介
2．4．3 实验装置
2．4．4 提高生长速率的措施
2．4．5 晶体质量与生长条件分析
2．4．6 氮掺杂效率
2．5 液相生长
2．6 缺陷
2．6．1 缺陷种类
2．6．2 缺陷的产生、演化以及减少
2．7 掺杂
2．7．1 掺杂问题
2．7．2 掺杂对基矢面位错演化的影响
2．7．3 掺杂对晶格硬度变化的影响
2．7．4 掺杂对费米能级的影响
……
3 碳化硅外延薄膜生长
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉积
5 碳化硅衬底上的氮化镓生长
6 碳化硅加工工艺
7 碳化硅封装工艺
8 碳化硅应用前景及发展趋势
9 结语
参考文献
附录本书主要名词英汉对照表