雷达与通信系统收发组件技术

第1章 相控阵
1.1 雷达与通信系统中的相控阵
1.2 天线
1.3 天线方向图和线阵
1.4 电扫天线
1.5 雷达探测方程
1.6 气象雷达方程
1.7 通信系统中的相控阵
1.8 小结
习题
参考文献
第2章 T／R组件
2.1 T／R组件概述
2.2 T／R组件早期开发工作
2.3 基于MMIC的T／R组件
2.4 T／R组件的性能要求
2.5 T／R组件元器件
2.5.1 T／R开关
2.5.2 移相器
2.5.3 衰减器
2.5.4 多功能芯片
2.5.5 驱动放大器
2.5.6 功率放大器
2.5.7 环行器／双工器
2.5.8 限幅器或接收保护电路
2.5.9 低噪声放大器
2.6 组件控制和电源
2.7 小结
习题
参考文献
第3章 T／R组件中的半导体
3.1 引言
3.2 半导体材料
3.2.1 砷化镓
3.2.2 异质材料
3.2.3 碳化硅
3.2.4 氮化镓
3.2.5 磷化铟
3.2.6 锗硅
3.3 射频半导体晶圆制造流程
3.3.1 隔离
3.3.2 欧姆接触
3.3.3 栅制作
3.3.4 介质沉积
3.3.5 电镀
3.3.6 空气桥
3.4 有源器件
3.4.1 GaAs MESFlET
3.4.2 GaAs PHEMT
3.4.3 GaN HEMT
3.5 MMIC
3.6 小结
习题
参考文献
第4章 T／R组件的信号完整性问题
4.1 引言
4.2 芯片级互连
4.2.1 引线键合方法
4.2.2 引线键合模型
4.2.3 倒装芯片方法
4.3 封装／模块级互连
4.3.1 模块级互连
4.3.2 SMT封装互连
4.4 传输线互连
4.5 互连间的耦合
4.6 垂直过渡互连
4.7 组件级谐振
4.8 小结
习题
参考文献
第5章 T／R组件的材料
5.1 引言
5.2 电气参数和测试
5.2.1 介电常数
5.2.2 损耗角正切值
5.2.3 介电常数和损耗角正切值的测量
5.2.4 金属电导率
5.3 机械参数
5.3.1 热导率
5.4 陶瓷材料
5.4.1 薄膜陶瓷
5.4.2 厚膜陶瓷
5.4.3 热增强厚膜工艺
5.4.4 高温共烧陶瓷
5.4.5 低温共烧陶瓷
5.5 层压封装
5.5.1 层压板制造
5.5.2 高性能层压材料
5.5.3 液晶聚合物
5.5.4 MCM-L层压板多芯片组件
5.6 小结
习题
参考文献
第6章 T／R组件的散热问题及其解决方案
6.1 引言
6.2 高功率放大器芯片的热流密度
6.3 放大器效率和热损耗
6.4 热阻和器件结温
6.5 T／R组件中器件散热示例
6.6 可靠性计算
6.7 应用于T／R组件的金刚石基GaN高功率放大器
6.8 sPIcE热仿真
6.9 热测量
6.9.1 电测法
6.9.2 光学测量法
6.9.3 采用液晶热像仪进行温度测量
6.9.4 使用替代验证芯片进行热设计
6.10 小结
习题
参考文献
第7章 MMIC制造和T／R组件制造
7.1 引言
7.2 MMIC制造
7.2.1 MMIC厂房
7.2.2 MMIC制造工艺
7.2.3 MMIc晶圆代工程序
7.3 T／R组件制造
7.3.1 T／R组件制造厂房
7.3.2 T／R组件制造工艺
7.4 小结
习题
参考文献
第8章 MMIC和T／R组件测试
8.1 引言
8.2 MMIC测试
8.2.1 来料检测
8.2.2 过程中检测
8.2.3 片上射频性能测试
8.2.4 MMIC筛选测试
8.2.5 MMIC可靠性测试
8.3 T／R组件技术参数
8.4 T／R组件测试
8.4.1 关键电性能参数
8.4.2 x波段T／R组件关键参数要求示例
8.4.3 自动测试系统
8.5 小结
习题
参考文献
第9章 MMIC和T／R组件成本
9.1 引言
9.2 MMIC成本
9.2.1 MMIC晶圆制造成本
9.2.2 晶圆制造工艺成品率
9.2.3 晶圆直径对MMIC成本的影响
9.2.4 MMIc制造设施负荷对成本的影响
9.2.5 基于面积或输出功率的MMIC成本
9.3 T／R组件成本
9.4 降低成本
9.4.1 降低MMIC成本
9.4.2 减少T／R组件成本
9.5 小结
习题
参考文献
第10章 下一代T／R组件
10.1 引言
10.2 单芯片T／R组件
10.3 晶圆级相控阵
10.4 si—CMOS：成本最低的单芯片T
10.5 数字波束形成
10.6 混合数字／模拟波束形成
10.7 波束切换和巴特勒矩阵相控阵
10.8 T／R组件的高度集成度封装
10.9 低成本系统的途径：开放式架构
10.10 小结
习题
参考文献