目录
序
前言
第1部分 陶瓷烧结理论
第1章 固相烧结 3
1.1 概述 3
1.2 烧结热力学 3
1.3 烧结模型 5
1.3.1 烧结初期 6
1.3.2 烧结中期 8
1.3.3 烧结后期 10
1.3.4 其他烧结模型 11
1.4 致密化动力学及晶粒长大 17
1.4.1 致密化动力学 17
1.4.2 晶粒长大 22
第2章 液相烧结 32
2.1 液相烧结技术的发展 32
2.1.1 液相烧结技术分类 32
2.1.2 液相烧结的优点与不足 33
2.2 液相烧结致密化过程 34
2.2.1 颗粒重排阶段 34
2.2.2 溶解-再沉淀阶段 35
2.2.3 固态烧结阶段 35
2.3 液相烧结发生条件及影响因素 36
2.3.1 驱动力-毛细管力 36
2.3.2 晶界液相 37
2.3.3 液相烧结条件 38
2.3.4 液相烧结致密化的影响因素 45
2.4 液相烧结机理 49
2.4.1 颗粒重排 50
2.4.2 溶解-再沉淀 54
2.4.3 固态烧结 65
第3章 特种烧结 67
3.1 特种烧结技术的发展 67
3.1.1 特种烧结技术分类 67
3.1.2 致密化途径及其机理 68
3.2 电场辅助烧结 69
3.2.1 电场活化烧结 70
3.2.2 闪烧 72
3.3 磁场辅助烧结 76
3.3.1 旋转扩散模型 76
3.3.2 旋转扩散模型的优化 79
3.3.3 强磁场诱导技术 82
3.4 放电等离子体烧结 82
3.4.1 放电等离子烧结优点 82
3.4.2 放电等离子烧结等效电路 83
3.4.3 放电等离子烧结机理 84
3.4.4 放电等离子烧结的发展与应用 88
3.5 微波烧结 89
3.5.1 微波烧结机理 89
3.5.2 微波烧结工业应用 92
第2部分 共晶陶瓷凝固组织形成理论
第4章 共晶陶瓷微观组织特征 95
4.1 固-液界面微观结构基础 96
4.1.1 粗糙界面与光滑界面 96
4.1.2 界面结构类型本质与判据 97
4.1.3 界面结构的影响因素 98
4.1.4 晶体生长方式 100
4.2 共晶组织的分类及特点 102
4.2.1 规则共晶 102
4.2.2 非规则共晶 106
4.3 共晶共生区—共晶耦合生长 111
4.3.1 对称型共晶共生区 112
4.3.2 非对称型共晶共生区 114
第5章 共晶凝固行为及生长模型 116
5.1 共晶凝固行为 116
5.1.1 层片状共晶组织形核过程 116
5.1.2 层片状共晶组织扩散耦合生长 117
5.1.3 层片状共晶组织生长界面过冷度 122
5.1.4 共晶片层间距的*小过冷度准则 125
5.2 共晶生长模型 129
5.2.1 J-H模型 129
5.2.2 TMK模型 133
5.2.3 KT模型 146
5.2.4 LZ模型 156
第6章 液固界面稳定性及枝晶生长 163
6.1 定向凝固共晶生长 163
6.1.1 共晶陶瓷制备技术 163
6.1.2 定向凝固共晶原理 171
6.2 液固界面稳定性理论 171
6.2.1 成分过冷理论 171
6.2.2 界面稳定性动力学理论 179
6.2.3 过冷熔体中平界面绝对稳定性理论 180
6.2.4 非平衡凝固界面稳定性理论 181
6.3 过冷熔体中枝晶生长 181
6.3.1 枝晶生长稳态理论 181
6.3.2 枝晶生长理论模型 183
参考文献 188
附录 主要符号及其含义 200