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植根厚土 笃行致远:郑厚植院士文集

植根厚土 笃行致远:郑厚植院士文集

定 价:¥580.00

作 者: 中国科学院半导体研究所
出版社: 科学出版社
丛编项:
标 签: 暂缺

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ISBN: 9787030717481 出版时间: 2022-06-01 包装: 精装
开本: 16开 页数: 字数:  

内容简介

  《植根厚土 笃行致远:郑厚植院士文集》梳理和总结中国科学院院士、物理学家郑厚植先生近60年从事物理学领域科研活动的历程。主要包括郑厚植院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研评述、学术咨询、自传等内容。郑厚植院士是我国著名的物理学家,在理论及应用方面对半导体低维量子结构中的新效应进行了系统的研究,并取得多项重要成果,对推动我国半导体物理科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。

作者简介

暂缺《植根厚土 笃行致远:郑厚植院士文集》作者简介

图书目录

目录

部分 自述
自述 3
第二部分 论著选编
Magnetoconductance studies on InP surfaces 13
Electron subbands on InP 19
Electron subbands on InP 23
Observation of size effect in the quantum Hall regime 41
Distribution of the quantized Hall potential in GaAs AlxGa1-xAs heterostructures 49
Size effect in the quantum Hall regime 56
Gate controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures 61
Influences of particle hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two dimensional hole systems 70
Influences of a parallel magnetic field on localization of disordered twodimensional electrons in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures 86
Nonresonant magnetotunneling in asymmetric GaAs/AlAs doublebarrier structures 93
Γ-X-Γ magneto tunneling oscillations in GaAs/AlAs double barrier structures 100
Tunneling escape time of electrons from a quantum well with Γ-X mixing effect 107
Density of states of the twodimensional electron gas studied by magnetocapacitances of biased double barrier structures 114
Studies on tunneling escape time of electrons from a quantum well in multilayered heterostructures 129
Direct observation for the reduction of exciton binding energy induced by perpendicular electric field 136
Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells 143
The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 150
Suppression of sequential tunneling current by a perpendicular magnetic field in a three barrier, two well heterostructure 157
Electron transport through a double quantum dot structure with intradot and interdot Coulomb interactions 163
Magnetoexciton polaritons in planar semiconductor microcavities 172
Electrical manifestation of the quantum confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well 180
Capacitance voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells 188
ivInfluence of transverse interdot coupling on transport properties of an Aharonov Bohm structure composed by two dots and two reservoirs 195
Ultrafast geometric manipulation of electron spin and detection of the geometric phase via Faraday rotation spectroscopy 206
Evaluation of holonomic quantum computation:adiabatic versus nonadiabatic 214
Mode splitting in photoluminescence spectra of a quantum dot embedded microcavity 222
Conditions for the local manipulation of tripartite Gaussian states 229
Laterally confined modes in wet etched, metal coated, quantum dot inserted pillar microcavities 237
Noiseless method for checking the Peres separability criterion by local operations and classical communication 244
A convenient way of determining the ferromagnetic transition temperature of metallic (Ga,Mn)As 253
A new type of photoelectric response in a double barrier structure with a wide quantum well 262
Spin polarized injection into a p-type GaAs layer from a Co2MnAl injector 267
Measurement of the transmission magnetic circular dichroism of Ga1-x MnxAs epilayers using a built in p-i-n photodiode 275
Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature 284
GaAs/P型AlxGa1-xAs 异质结界面二维空穴的量子输运特性 295
Photonstorage in optical memory cells based on a semiconductor quantum dot quantum well hybrid structure 304
Conditions for the local manipulation of all bipartite Gaussian states 312
静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究 320
Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wettinglayer fluctuation 325
Electric field control of deterministic current induced magnetization switching in a hybrid ferromagnetic/ferroelectric structure 336
Tuning a binary ferromagnet into a multistate synapse with spin orbit torque induced plasticity 346
超导/低维电子气耦合体系研究 361
半导体微腔中的重要物理现象 385
第三部分 科研评述
郑厚植与低维半导体物理 421
第四部分 学术咨询
创新三思 435
21世纪的纳米技术 439
我国半导体超晶格科学的进展 442
学习《论科学技术》培养青年科技人才 448
迎接挑战,重视量子结构、量子器件及其集成技术的基础研究 450
整数、分数量子霍尔效应简介 453
中国科技如何应对WTO 470
人工物性剪裁——半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索 472
微电子、光电子与微系统子领域技术趋势与展望 475
具有变革性的光电子、光子器件技术发展路线图 479
半导体物理 485
关于影响我国发展的重大科技问题的思考 494
关于太阳能作为可再生能源的经济评价 499
太阳能发电作为可再生能源的主要科学技术问题 503
关于发展我国新固态光源(SSL)的建议 513
第五部分 信件往来
给常州市怀德苑小学四(1)班同学们的一封信 523
给常州市怀德苑小学三(5)班同学们的一封信 524
给学生的一封回信 525
一段遥远的回忆——祝贺我的母校上海市曹杨第二中学建校60周年 526
第六部分 行政管理
中国科学院半导体研究所《知识创新工程》试点方案概要 529
半导体超晶格国家重点实验室的建立和发展 532
关于国家“十五”科技计划体系研究的一点看法 536
关于研究所发展战略的若干思考——高技术创新与资本运营 538
光辉的业绩,永恒的师表 541
深化改革、继往开来——纪念中国科学院半导体研究所建所40周年 543
中国科学院半导体研究所改革进程的若干情况 547
所长任期述职报告(1994—1998年) 566
所长述职报告(1999—2002年) 580
携手前进、迎接挑战——祝贺清华大学微电子学研究所成立20周年 618
在第十四届全国半导体物理学术会议暨半导体物理学术讨论会开幕式上的讲话 620
在中国科学院半导体研究所领导换届大会上的讲话622
继往开来,重视和加强低维量子结构的物理研究——祝贺黄昆院士80华诞 624
一代宗师德厚流光——纪念黄昆先生诞辰100周年 625
荣誉表彰 631
授权专利 632
培养学生名单 635

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