高性能紫外光电探测器是国防预警与跟踪、环境监控、生命科学等领域急需的关键部件。由于具有性能优势，因此宽禁带半导体已成为制备紫外光电探测器的优选材料，目前主要包括Ⅲ族氮化物半导体、碳化硅、氧化物半导体和金刚石材料等。本书基于国内外宽禁带半导体紫外光电探测材料及器件的发展现状和趋势，从材料特性、探测器设计、器件工艺和紫外光电响应特性等方面详述了宽禁带半导体紫外光电探测器所面临的关键科学技术问题、主要技术成果、产业应用情况和发展前景。本书可为从事宽禁带半导体紫外光电材料和器件研发、生产的科技工作者、企业工程技术人员和研究生提供有价值的参考，也可供从事该领域科研和高技术产业管理的政府官员和企业人员学习参考。
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