氮化物半导体技术：功率电子和光电子器件

目录
序
原书前言
原书致谢
第1章氮化镓材料的性能及应用
11历史背景
12氮化物的基本性质
121微观结构及相关问题
122光学性质
123电学性质
124AlGaN/GaN异质结构中的二维电子气（2DEG）
13GaN基材料的应用
131光电子器件
132功率电子器件和高频电子器件
14总结
致谢
参考文献
第2章GaN基材料：衬底、金属有机物气相外延和量子阱
21引言
22块体GaN生长
221氢化物气相外延（HVPE）
222钠助溶剂生长法
223氨热生长
23金属有机物气相外延生长
231氮化物MOVPE基础知识
232异质衬底上外延
233通过ELOG、FACELO等方法减少缺陷
234原位ELOG沉积SiN
235氮化物掺杂
236其他二元和三元氮化物生长
24InGaN量子阱的生长及分解
241InGaN量子阱在极化、非极化以及半极化GaN衬底
上的生长
242铟含量分布波动的原因
243InGaN量子阱的均质化
244量子阱的分解
25总结
致谢
参考文献
第3章毫米波用GaN基HEMT
31引言
32GaN毫米波器件的主要应用
321高功率应用
322宽带放大器
3235G
33用于毫米波的GaN材料应用设计
331与其他射频器件的材料性能对比
332射频器件中的特殊材料
34毫米波GaN器件的设计与制造
341各种GaN器件关键工艺步骤
342先进的毫米波GaN晶体管
35MMIC功率放大器概述
351基于ⅢN器件的MMIC技术
352从Ka波段到D波段频率的MMIC示例
36总结
参考文献
第4章常关型GaN HEMT技术
41引言
411AlGaN/GaN HEMT阈值电压
42GaN HEMT“共源共栅”结构
43“真正的”常关型HEMT技术
431凹栅HEMT
432氟技术HEMT
433凹栅混合MIS HEMT
434p型GaN栅HEMT
44其他方法
45总结
致谢
参考文献
第5章垂直型GaN功率器件
51引言
52用于功率转换的垂直型GaN器件
53垂直型GaN晶体管
531电流孔径垂直电子晶体管（CAVET）
532垂直型GaN MOSFET
54GaN高压二极管
55GaN pn二极管雪崩电致发光
56GaN的碰撞电离系数
57总结
致谢
参考文献
第6章GaN电子器件可靠性
61引言
611GaN HEMT的可靠性测试和失效分析
62射频应用中GaN HEMT的可靠性
621AlGaN/GaN HEMT
622InAlN/GaN HEMT
623射频GaN HEMT中的热问题
63GaN功率开关器件的可靠性和鲁棒性
631掺碳GaN缓冲层中的寄生效应
632p型GaN开关HEMT中的栅极退化
633GaN MIS HEMT中阈值电压不稳定性
64总结
致谢
参考文献
第7章发光二极管
71引言
72最先进的GaN发光二极管
721蓝光二极管
722绿光二极管
73GaN白光LED：制备方法和特性
731单片发光二极管
732磷光体覆盖的发光二极管
74AlGaN深紫外LED
741生长高质量AlN和提高内量子效率（IQE）
742基于AlGaN的UVC LED
743提高光提取效率（LEE）
75总结
致谢
参考文献
第8章分子束外延生长激光二极管
81引言
82等离子体辅助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生长
原理
821N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用
83宽InGaN量子阱——超越量子约束的斯塔克效应
84AmmonoGaN衬底制备的长寿命激光二极管
85隧道结激光二极管
851垂直互连的激光二极管堆
852分布式反馈激光二极管
86总结
致谢
参考文献
第9章边缘发射激光二极管和超辐射发光二极管
91激光二极管的历史与发展
911光电子学背景
912GaN技术突破
913氮化物激光二极管的发展
92分布式反馈激光二极管
93超辐射发光二极管
931超辐射发光二极管的发展历史
932基本SLD特性
933SLD优化面临的挑战
94半导体光放大器
95总结
参考文献
第10章绿光和蓝光垂直腔面发射激光器
101引言
1011GaN VCSEL的特性和应用
1012GaN VCSEL的简史和现状
1013不同DBR结构GaN VCSEL
102不同器件结构的散热效率
1021器件热分布模拟
1022热阻Rth对谐振腔长度的依赖性
103基于InGaN量子点的绿光VCSEL
1031量子点相对于量子阱的优势
1032InGaN量子点的生长及其光学特性
1033VCSEL的制备过程
1034绿光量子点VCSEL特性
104基于蓝光InGaN量子阱局域态和腔增强发光效应的
绿光VCSEL
1041谐振腔效应
1042谐振腔增强的绿光VCSEL的特性
105基于量子阱内嵌量子点有源区结构的双波长激射
1051量子阱内嵌量子点（QDinQW）结构特性
1052VCSEL激射特性
106具有不同横向光限制的蓝光VCSEL
1061折射率限制结构的设计
1062LOC结构VCSEL的发光特性
107总结
参考文献
第11章新型电子和光电应用的2D材料与氮化物集成
111引言
112用氮化物半导体制造2D材料异质结构
1121转移在其他衬底上生长的2D材料
11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生长
1123氮化物半导体薄膜的2D材料生长
113基于2D材料/GaN异质结的电子器件
113