III-V族异质结双极晶体管：从器件工作原理到电路模型

第1章 绪论
1.1 微波射频异质结品体管的分类
1.2 异质结品休管的特性指标
1.3 半导体器件射频微波建模和测试
1.4 本书的目标和结构
参考文献
第2章 半导体器件建模中的去嵌方法
2.1 基本网络参数
2.1.1 信号参数
2.1.2 信号参数之间的关系
2.2 二口网络的噪声特性
2.2.1 噪声相关矩阵
2.2.2 噪声相关矩阵之间的关系
2.3 二口网络的互联
2.4 寄生元件削去方法
2.4.1 并联寄生元件削去方法
2.4.2 串联寄生元件削去方法
2.4.3 级联寄生元件削去方法
2.5 HBT器件寄生元件的去嵌方法
2.5.1 PAD电容的去嵌方法
2.5.2 寄生电感的去嵌方法
2.5.3 寄生电阻的去嵌方法
2.6 本章小结
参考文献
第3章 HBT器件基本工作原理
3.1 PN结二极管
3.2 双极晶体管工作原理
3.2.1 工作机理
3.2.2 工作模式
3.2.3 基区宽度调制效应
3.2.4 大电流注入效应
3.3 异质结晶体管工作原理
3.3.1 半导体异质结工作原理
3.3.2 常用HBT器件的物理结构和工作机理
3.4 本章小结
参考文献
第4章 寄生元件提取方法
4.1 HBT器件寄生元件网络
4.2 PAD电容提取方法
4.2.1 开路测试结构提取方法
4.2.2 截止状态提取方法
4.2.3 考虑分布效应的提取方法
4.3 寄生电感提取方法
4.3.1 短路测试结构提取方法
4.3.2 集电极开路提取方法
4.3.3 馈线的趋肤效应
4.4 寄生电阻提取方法
4.4.1 集电极开路方法
4.4.2 Z参数方法
4.4.3 截止状态方法